中山大学朱述炎获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学申请的专利金纳米锯齿光栅结构的电子器件制备方法、电子器件及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119781103B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411828994.6，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权金纳米锯齿光栅结构的电子器件制备方法、电子器件及芯片是由朱述炎设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本金纳米锯齿光栅结构的电子器件制备方法、电子器件及芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于金纳米锯齿光栅结构的电子器件的制备方法、器件及芯片，采用具有纳米孔洞的压印软膜对涂覆在玻璃基片上的光刻胶层进行压印，在玻璃基片上形成纳米方块阵列结构；刻蚀纳米方块阵列结构间的光刻胶层的残余层和涂覆在玻璃基片上的有机玻璃层，以在玻璃基片上形成待角度热蒸发结构；采用角度热蒸发技术对待角度热蒸发结构进行特定入射角度的热蒸发，在待角度热蒸发结构上形成铬金复合薄膜镀层；剥离玻璃基片上的有机玻璃层、光刻胶层和选定的连接线，得到基于金纳米锯齿光栅结构的电子器件。本申请提供的制备方法，低成本、高通量，能够制备大面积的金纳米锯齿光栅结构，实现基于金纳米锯齿光栅结构的电子器件的大批量生产。
本发明授权金纳米锯齿光栅结构的电子器件制备方法、电子器件及芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于金纳米锯齿光栅结构的电子器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 将有机玻璃和光刻胶依次涂覆在玻璃基片上，以在所述玻璃基片上形成有机玻璃层和光刻胶层； 采用具有纳米孔洞的压印软膜对所述光刻胶层进行压印，以在所述玻璃基片上形成纳米方块阵列结构； 采用等离子体刻蚀所述纳米方块阵列结构间的所述光刻胶层的残余层和所述有机玻璃层，以在所述玻璃基片上形成待角度热蒸发结构； 采用角度热蒸发技术对所述待角度热蒸发结构进行特定入射角度的热蒸发处理，以在所述待角度热蒸发结构上形成铬金复合薄膜镀层； 剥离所述玻璃基片上的所述有机玻璃层和所述光刻胶层，得到不对称金纳米孔阵列结构； 采用超声振荡剥离所述不对称金纳米孔阵列结构中选定的连接线，得到基于金纳米锯齿光栅结构的电子器件。
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