南通威斯派尔半导体技术有限公司刘晓辉获国家专利权
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龙图腾网获悉南通威斯派尔半导体技术有限公司申请的专利一种高识别度PR靶点的AMB产品及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119786353B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411932074.9，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种高识别度PR靶点的AMB产品及其制备方法是由刘晓辉;周鑫设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高识别度PR靶点的AMB产品及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高识别度PR靶点的AMB产品及其制备方法，包括以下步骤：S1.覆铜陶瓷基板准备；使用活性金属钎焊工艺制作覆铜陶瓷基板；S2.铜面PR靶点蚀刻孔制作；利用化学法，通过一次蚀刻制作铜面PR靶点蚀刻孔；S3.PR靶点蚀刻孔焊料去除；利用化学法，通过二次蚀刻制作铜面PR靶点蚀刻孔；去除PR靶点蚀刻孔内焊料；S4.PR靶点蚀刻孔内陶瓷激光打标；使用激光在PR靶点蚀刻孔内对陶瓷进行激光打标；S5.自动光学检测；将清洗后的AMB产品使用AOI自动光学检测仪进行靶点的识别，本发明实现PR靶点加工表面由原铜表面到陶瓷表面的转变，显著增加了PR靶点的识别度。
本发明授权一种高识别度PR靶点的AMB产品及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高识别度PR靶点的AMB制备方法，其特征在于，包括焊料层、铜层和陶瓷层3，制备步骤如下： S1.覆铜陶瓷基板准备；使用活性金属钎焊工艺制作覆铜陶瓷基板； S2.铜面PR靶点蚀刻孔制作；利用化学法，通过一次蚀刻制作铜面PR靶点蚀刻孔； S3.PR靶点蚀刻孔焊料去除；利用化学法，通过二次蚀刻制作铜面PR靶点蚀刻孔；去除PR靶点蚀刻孔内焊料； S4.PR靶点蚀刻孔内陶瓷激光打标；使用激光在PR靶点蚀刻孔内对陶瓷进行激光打标； S5.自动光学检测；将清洗后的AMB产品使用AOI自动光学检测仪进行靶点的识别。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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