哈尔滨工业大学曾明获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种基于微波增强调控的热发射阴极获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119811957B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510015857.9，技术领域涉及：H01J3/08；该发明授权一种基于微波增强调控的热发射阴极是由曾明;刘辉;靳旭红;于达仁设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于微波增强调控的热发射阴极在说明书摘要公布了：一种基于微波增强调控的热发射阴极，属于空间电推进领域及电真空器件领域，本发明为解决常规热发射阴极电子发射电流调控能力差、对等离子体环境干扰大的问题。本发明包括热电子发射单元、微波馈入接头和谐振腔室，热电子发射单元同轴设置于谐振腔室中；微波馈入接头从侧面垂直腔体插入谐振腔室中并与热电子发射单元的波导导通连接；热电子发射单元用于在直流电场下发射热电子；微波馈入接头用于将微波馈入谐振腔室内，微波在谐振腔室的开路端和短路端反复反射，在电子发射单元的波导表面形成驻波，并在电子发射单元的发射体上形成强驻波电场，进而实现增大电子发射电流的调控。
本发明授权一种基于微波增强调控的热发射阴极在权利要求书中公布了：1.一种基于微波增强调控的热发射阴极，其特征在于，包括热电子发射单元、微波馈入接头2、引出极外壳1和谐振腔室3，热电子发射单元包括发射体7和中心波导8，热电子发射单元同轴设置于谐振腔室3中；微波馈入接头2从侧面垂直腔体插入谐振腔室3中并与热电子发射单元的中心波导导通连接； 热电子发射单元用于在直流电场下发射热电子；引出极外壳1同轴安装于中心波导8外部，引出极外壳1和中心波导8二者前半部分不接触形成环形腔作为谐振腔室3，引出极外壳1与中心波导8的尾端相接触，以在谐振腔室3的尾端形成短路端，谐振腔室3的首端封闭并作为开路端； 微波馈入接头2用于将微波馈入谐振腔室3内，微波在谐振腔室3的开路端和短路端反复反射，在电子发射单元的中心波导8表面形成驻波，并在电子发射单元的发射体上形成强驻波电场，进而实现增大电子发射电流的调控。
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