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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种半金属相二碲化钼薄膜、可饱和吸收体、脉冲光纤激光器及其制备与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119812921B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411838204.2，技术领域涉及：H01S3/1118；该发明授权一种半金属相二碲化钼薄膜、可饱和吸收体、脉冲光纤激光器及其制备与应用是由陶丽丽;叶韫设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半金属相二碲化钼薄膜、可饱和吸收体、脉冲光纤激光器及其制备与应用在说明书摘要公布了：本发明属于被动锁模光纤激光器技术领域，具体涉及一种半金属相二碲化钼薄膜、可饱和吸收体、脉冲光纤激光器及其制备与应用。本发明采用磁控溅射法与CVD法结合的方式制备半金属相二碲化钼薄膜，工艺简单，成本低，易于操作，制备的半金属相二碲化钼薄膜，该薄膜分步均匀，面积大，纳米尺寸且质量稳定，不易被氧化，具有良好的稳定性和二维过渡金属硫族化合物的显著优点，可获得调制深度大，脉宽窄的超快激光，可长时间用于激光锁模，且基于该薄膜材料作为器件所得到的锁模激光性能十分稳定，可应用于激光器领域。

本发明授权一种半金属相二碲化钼薄膜、可饱和吸收体、脉冲光纤激光器及其制备与应用在权利要求书中公布了：1.一种半金属相二碲化钼薄膜的制备方法，其特征在于包含如下步骤： 1钼薄膜的溅射：以Mo多晶块体作为靶材，采用磁控溅射法在SiO2Si衬底上制备Mo薄膜，得到镀有Mo薄膜的SiO2Si衬底；溅射完成后，待腔内温度冷却至30～35℃以下后将镀有Mo薄膜的SiO2Si衬底取出； 2半金属相二碲化钼薄膜的制备：将碲粉、镀有Mo薄膜的SiO2Si衬底和NaCl颗粒置于双温区管式炉中，其中，碲粉置于双温区管式炉的上温区中，镀有Mo薄膜的SiO2Si衬底和NaCl颗粒置于双温区管式炉的下温区，上温区温度设置为580～600℃，下温区温度设置为650～700℃，在氮氢混合气体保护的条件下，上温区和下温区均保温35～40min以碲化处理，然后自然降温，得到载有半金属相二碲化钼薄膜的SiO2Si衬底； 3半金属相二碲化钼薄膜的剥离：将溶剂均匀旋涂在步骤2制得的半金属相二碲化钼薄膜表面并烘干，然后将SiO2Si衬底浸入刻蚀液中进行刻蚀，刻蚀后的SiO2Si衬底放入水中洗涤浸泡直至半金属相二碲化钼薄膜与SiO2Si衬底分离，得到半金属相二碲化钼薄膜。

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