国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司刘敬伟获国家专利权
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龙图腾网获悉国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司申请的专利一种复合波导结构及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119828367B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510124229.4,技术领域涉及:G02F1/03;该发明授权一种复合波导结构及其制备方法是由刘敬伟;周良;李春龙;李超;张彦乐;蔡丰任;花晓强设计研发完成,并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种复合波导结构及其制备方法在说明书摘要公布了:本申请提供了一种复合波导结构及其制备方法,属于电光调制器技术领域,包括第一波导晶圆和波导薄膜,第一波导晶圆包括第一衬底、钝化层以及钝化层内的第一波导结构和金属电极,第一波导结构两侧设置金属电极,第一波导结构上侧覆盖有第一波导包层,金属电极的上侧设有第一焊盘孔;波导薄膜包括第二衬底、设置在第二衬底上的埋氧层以及设置在埋氧层上侧的第二波导结构,第二波导结构的两侧设有第二焊盘孔,第二波导结构上侧覆盖有第二波导包层,第二波导包层与第一波导包层相键合,第二波导结构位置与第一波导结构位置相对应,第二焊盘孔位置与第一焊盘孔位置相对应。本申请提高了W2W异质集成方式同CMOS工艺的兼容性。
本发明授权一种复合波导结构及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种复合波导结构,其特征在于,包括第一波导晶圆以及与所述第一波导晶圆键合的波导薄膜,所述第一波导晶圆包括第一衬底1、设置在所述第一衬底1上的钝化层以及设置在钝化层内的第一波导结构4和金属电极3,所述第一波导结构4的两侧设置所述金属电极3,所述第一波导结构4的上侧覆盖有第一波导包层,所述金属电极3的上侧设有第一焊盘孔5;所述波导薄膜包括第二衬底7、设置在所述第二衬底7上的埋氧层8以及设置在所述埋氧层8上侧的第二波导结构9,所述第二波导结构9的两侧设有第二焊盘孔10,所述第二波导结构9的上侧覆盖有第二波导包层,所述第二波导包层与所述第一波导包层相键合,所述第二波导结构9的位置与所述第一波导结构4的位置相对应,所述第二焊盘孔10的位置与所述第一焊盘孔5的位置相对应。
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