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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种高阶曲率补偿带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119828840B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510066598.2，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种高阶曲率补偿带隙基准电路是由尹波;董震设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高阶曲率补偿带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明请求保护一种高阶曲率补偿带隙基准电路，包括一阶带隙基准电路、高温区域曲率补偿电路及启动电路。采用PMOS管M4电流在电阻R3～R4上产生的电压以及PMOS管M6电流在电阻R4上产生的电压均具有正温度系数、PMOS管M5电流在电阻R3～R4上产生的电压以及PMOS管M7电流在电阻R4上产生的电压均具有负温度系数等技术实现一阶带隙基准电压，利用NMOS管M12栅极电压随着温度升高而增大来控制NMOS管M13工作并使其工作区随着温度增加而逐渐从深三极管区、三极管区过度到饱和区的技术，使得PMOS管M14电流为温度高阶非线性，并对一阶带隙基准电压进行温度补偿，从而获得高阶温度补偿的带隙基电压。

本发明授权一种高阶曲率补偿带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种高阶曲率补偿带隙基准电路，其特征在于，包括：一阶带隙基准电路1、高温区域曲率补偿电路2及启动电路3，其中，所述一阶带隙基准电路1的信号输出端分别接所述高温区域曲率补偿电路2以及所述启动电路3的信号输入端，所述高温区域曲率补偿电路2接所述一阶带隙基准电路1的电信号输入端，所述启动电路3的信号输出端接所述一阶带隙基准电路1的启动信号输入端，所述一阶带隙基准电路1产生带隙基准参考电压；所述启动电路3使得带隙基准电路正常工作并产生带隙基准电压输出，所述高温区域曲率补偿电路2对所述一阶带隙基准电路1所产生的带隙基准参考电压进行补偿，获得低温漂系数的带隙基准参考电压；所述高温区域曲率补偿电路2包括：PMOS管M8、PMOS管M9、NMOS管M10、PMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M13、PMOS管M14、电阻R5，其中PMOS管M8的源极分别与PMOS管M9的源极、PMOS管M11的源极、PMOS管M14的源极以及外部电源VDD相连，PMOS管M8的漏极分别与NMOS管M12的栅极以及电阻R5的一端相连，电阻R5的另一端分别与NMOS管M10的源极、NMOS管M13的源极以及外部地线GND相连，PMOS管M9的漏极分别与NMOS管M10的漏极、NMOS管M10的栅极以及NMOS管M13的栅极相连，PMOS管M11的漏极分别与PMOS管M11的栅极、NMOS管M12的漏极以及PMOS管M14的栅极相连，NMOS管M12的源极与NMOS管M13的漏极相连；所述高温区域曲率补偿电路2中，NMOS管M12的栅极电压随着温度增加而增加，进而随着温度增加NMOS管M12使得NMOS管M13的工作区逐渐从深三极管区、三极管区过度到饱和区，使得PMOS管M11电流为温度高阶非线性。

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