西安理工大学王玥获国家专利权
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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利一种基于反D型柱结构的全介质太赫兹超表面及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119852723B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411994060.X，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种基于反D型柱结构的全介质太赫兹超表面及制备方法是由王玥;孙广成;白耕瑜;吴睿;胡辉设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于反D型柱结构的全介质太赫兹超表面及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于反D型柱结构的全介质太赫兹超表面及制备方法，属于太赫兹超表面技术领域。本发明提供的制备方法采用二氧化硅层作为保护层，能够有效防止硅晶圆在后续加工过程中被氧化或腐蚀；通过旋涂光刻胶层、烘烤、放置掩膜版、曝光和显影等步骤，在硅晶圆上形成反D型柱结构的图案，利用刻蚀反应气体对硅晶圆进行深反应离子刻蚀，在硅晶圆上形成反D型柱结构，打破了全介质太赫兹超表面的面内旋转对称性，得到具有更高Q值和极窄共振线宽的准连续域束缚态共振，且通过控制结构非对称性的大小能够实现共振峰频率和Q值的主动、灵活调谐；等离子体气体的使用有效去除了光刻胶层，确保了全介质太赫兹超表面的清洁度和完整性。
本发明授权一种基于反D型柱结构的全介质太赫兹超表面及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于反D型柱结构的全介质太赫兹超表面的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：清洗双面抛光硅晶圆，清洗后吹干水渍并进行干燥处理，得到干燥后的硅晶圆； 步骤2：利用等离子体增强化学气相沉积工艺在干燥后的硅晶圆上沉积保护性二氧化硅层，得到带有保护性二氧化硅层的硅晶圆； 步骤3：在硅晶圆的保护性二氧化硅层上旋涂光刻胶层，烘烤光刻胶层，烘烤后在光刻胶层上放置掩膜版，所述掩膜版具有反D型图案，对放置有掩膜版的光刻胶层进行曝光和显影，得到具有反D型图案的硅晶圆； 步骤4：将具有反D型图案的硅晶圆粘接在石英衬底上，并在紫外光下曝光，得到具有石英衬底的硅晶圆； 步骤5：利用刻蚀反应气体对具有石英衬底的硅晶圆进行深反应离子刻蚀，得到刻蚀后的具有反D型柱结构的硅晶圆；通过等离子体气体去除硅晶圆的光刻胶层，获得基于反D型柱结构的全介质太赫兹超表面。
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