西北工业大学汪瑛获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利基于InP衬底的SRD与耿氏二极管集成器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510009814.X，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权基于InP衬底的SRD与耿氏二极管集成器件及其制备方法是由汪瑛;惠帅;杜永乾;关赫;唐永川;闫柯柯设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于InP衬底的SRD与耿氏二极管集成器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及基于InP衬底的SRD与耿氏二极管集成器件及其制备方法，器件包括：InP衬底、缓冲层、阴极接触层、N夹层、阳极接触层、器件隔离槽、电极凹槽、阳极和阴极，其中，InP衬底、缓冲层、阴极接触层、N夹层和阳极接触层自下而上依次设置；N夹层的掺杂浓度自下而上逐渐增大；器件隔离槽由阳极接触层的上表面贯穿至缓冲层的下表面；器件隔离槽的一侧为SRD区，另一侧为耿氏二极管区。本发明在同一个衬底上制备SRD和耿氏二级管，并通过N夹层渐变的掺杂浓度，减小SRD的阶跃时间，增大耿氏二极管的振荡频率，避免了器件分离设计带来的体积大、损耗高、组装复杂等问题，实现紧凑高效的脉冲生成与高频振荡功能。
本发明授权基于InP衬底的SRD与耿氏二极管集成器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.基于InP衬底的SRD与耿氏二极管集成器件，其特征在于，包括：InP衬底1、缓冲层2、阴极接触层3、N夹层4、阳极接触层5、器件隔离槽、电极凹槽、阳极6和阴极7，其中， 所述InP衬底1、所述缓冲层2、所述阴极接触层3、所述N夹层4和所述阳极接触层5自下而上依次设置； 所述N夹层4的掺杂浓度自下而上逐渐增大； 所述器件隔离槽由所述阳极接触层5的上表面贯穿至缓冲层2的下表面；所述器件隔离槽的一侧为SRD区，另一侧为耿氏二极管区； 所述电极凹槽位于所述SRD区的边缘和所述耿氏二极管区的边缘，由所述阳极接触层5的上表面贯穿至所述阴极接触层3的上表面； 所述阳极6位于所述阳极接触层5的上表面； 所述阴极7位于所述电极凹槽中的所述阴极接触层3的上表面。
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