北京大学郭雪峰获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利基于MOSFET器件的单分子基因测序方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119859575B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411785992.3，技术领域涉及：C12M1/34；该发明授权基于MOSFET器件的单分子基因测序方法是由郭雪峰;杨志恒;仲世超;张景琪设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于MOSFET器件的单分子基因测序方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于MOSFET器件的单分子基因测序方法，属于单分子基因测序技术领域，该MOSFET器件栅极和源漏极区域先后镀膜铬和金表面，栅极上涂覆PMMA涂层后，通过高精度电子束曝光，显影出一个仅可容纳单个聚合酶的孔洞，PDMS微流道贴合在栅极周围形成微型反应腔室，利用负压循环扫的方法将负电性聚合酶驱使入高电势的PMMA孔洞内，与底部栅极金原子形成金‑硫键的连接，完成单个聚合酶在栅极的修饰。本发明通过对产品级MOSFET器件的进一步升级改进，形成以单个聚合酶链式反应为序列信息反馈源，利用生物分子本征生理功能实现了序列的高精度读取的测序技术，并构筑了有效的信号分析方法，以提升信息读取有效度，提高单分子测序技术的准确度和高效性。
本发明授权基于MOSFET器件的单分子基因测序方法在权利要求书中公布了：1.基于MOSFET器件的单分子基因测序生物传感器，其特征是：该MOSFET器件栅极和源漏极区域先后镀膜铬和金表面，栅极上涂覆PMMA涂层后，通过高精度电子束曝光，显影出一个仅可容纳单个聚合酶的孔洞，PDMS微流道贴合在栅极周围形成微型反应腔室，利用负压循环扫的方法将负电性聚合酶驱使入高电势的PMMA孔洞内，与底部栅极金原子形成金-硫键的连接，完成单个聚合酶在栅极的修饰。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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