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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利用于功率MOSFET性能评估的自动测试装置与方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119881578B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510202838.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权用于功率MOSFET性能评估的自动测试装置与方法是由程安宇;孙雨婷;张雨晨;赵杰;周怡;叶林畅设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于功率MOSFET性能评估的自动测试装置与方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于功率MOSFET性能评估的自动测试装置与方法，属于电力电子功率器件测试技术领域。该自动测试装置包括：上位机、电源模块、控制器模块、驱动模块、负载模块和检测模块。基于该装置能够实现MOSFET的开启电压测试、栅源极限电压测试、热阻测试、短路测试、开启和关断波形测试，并且能够根据测试数据计算MOSFET的相关工作参数，综合实际应用全面评估MOSFET的性能，装置架构可行性高、测试条件易于改变、器件易于更换，测试效率高；此外，该装置评估使用的数据获取方便，测试装置应用价值高，对于指导功率MOSFET的选型具有重要意义。

本发明授权用于功率MOSFET性能评估的自动测试装置与方法在权利要求书中公布了：1.一种用于功率MOSFET性能评估的测试方法，基于自动测试装置，该装置包括上位机、电源模块、控制器模块、驱动模块、负载模块和检测模块； 所述上位机通过CAN总线与所述控制器模块连接，接收所述控制器模块传输的测试数据，对所述测试数据进行计算整理和存储；所述上位机通过CAN总线向所述电源模块发送控制指令；所述控制器模块分别向所述检测模块、驱动模块和负载模块发送控制指令；所述负载模块根据所述控制器模块的控制指令选择不同的负载，以模拟不同的负载工况；所述驱动模块包括待测MOSFET和由待测MOSFET组成的H桥单元，根据所述控制器模块发送的控制指令驱动模拟负载，测试待测MOSFET；所述检测模块根据所述控制器模块的控制指令采集所述驱动模块的测试数据，并传输至所述控制器模块； 所述检测模块包括信号采集单元、波形检测单元和热测试单元；所述信号采集单元用于监测并采集待测MOSFET的实时栅源电压、漏源电压和漏源电流；所述波形检测单元用于监测并采集H桥单元的输入、输出电压波形和输入、输出电流波形；所述热测试单元用于监测待测MOSFET的表面温度； 所述电源模块包括第一电源和第二电源；所述第一电源分别向所述控制器模块和负载模块供电；所述第二电源根据所述上位机的控制指令向所述驱动模块中的待测MOSFET提供栅源电压； 所述负载模块包括继电器开关、多个驱动电机和多个功率电阻，所述控制器模块控制所述继电器开关选择不同的负载与所述驱动模块连接； 所述电源模块、控制器模块、驱动模块、负载模块和检测模块均放置在一温度试验箱内； 其特征在于，该方法包括： 测试MOSFET栅源开启电压阈值：确定栅源开启电压阈值下的漏电流ID，设置温度试验箱达到指定温度，选择负载模块中的功率电阻与MOSFET连接，上位机控制第二电源向MOSFET栅极供电，并按照指定电压步幅以步进的方式从0V逐渐增大栅极电压，直至MOSFET漏源电压和电流不再变化；上位机将ID与漏电流测试值I0比较，获得栅源开启电压阈值； 测试MOSFET栅源极限电压：确定漏电流测试值I0，确定栅源极限电压测试的每一步测试时间Tstep1，设置温度试验箱达到指定温度，选择负载模块中的功率电阻与MOSFET连接；上位机控制第二电源向MOSFET栅极供电，并控制第二电源每一步向栅极输出电压的时间为Tstep1，从栅源开启电压阈值开始按照指定的电压步幅以步进的方式逐渐增大栅极电压，直至栅极氧化层出现损坏或栅极关断后ID≥I0；上位机将ID与I0比较，获得栅源极限电压阈值； 测试MOSFET实际热阻、实际最大工作电流和最大堵转电流：确定MOSFET结到环境的热阻值RJA和最高承受温度，选择负载模块的最大模拟负载与H桥单元连接，控制器模块通过配置的驱动芯片输出直流电驱动H桥单元；采集栅极电压、漏源电压、漏源电流以及H桥单元上桥和下桥的表面温度，上位机根据稳态温升、漏源电压和漏源电流计算MOSFET实际热阻、实际最大工作电流和最大堵转电流； 测试MOSFET短路状态下是否满足SOA区域限制范围：设置温度试验箱达到指定温度，选择负载模块的驱动电机与H桥单元相连，控制器模块设置直流电驱动H桥单元，驱动过程中通过控制器模块设置继电器开关将H桥单元上桥MOSFET源极短地，将H桥单元下桥MOSFET漏极短电；上位机根据短电和短地时的漏源峰值电压、短路峰值电流和短路持续时间判断MOSFET在短路状态下是否满足SOA区域限制范围； 测试MOSFET开关损耗：设置温度试验箱达到指定温度，选择负载模块的驱动电机与H桥单元连接，控制器模块设置具有不同驱动频率和占空比的驱动电流，并以PWM调制输出驱动电流至驱动电机，控制器模块通过配置的驱动芯片向H桥单元中各MOSFET的栅极从最弱到最强输出驱动电流；上位机根据不同栅极驱动电流下MOSFET开启和关断时的漏源电压波形和漏源电流波形以及开启关断时间计算开关损耗。

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