国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司刘敬伟获国家专利权
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龙图腾网获悉国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司申请的专利一种铌酸锂调制器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119882283B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510124219.0，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权一种铌酸锂调制器件及其制备方法是由刘敬伟;张彦乐;李春龙;周良;李超;蔡丰任;花晓强设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铌酸锂调制器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种铌酸锂调制器件及其制备方法，涉及电光调制器件技术领域，所述铌酸锂调制器件的制备方法包括：在波导衬底的波导结构两侧分别制备形成金属沉积槽，在所述金属沉积槽内沉积金属电极；在所述金属沉积槽内填充金属保护介质，以通过所述金属保护介质将所述金属电极完全覆盖；在形成所述金属电极后的所述波导衬底上键合铌酸锂衬底，获得所述铌酸锂调制器件。本发明通过刻蚀氧化硅开槽的方式制备金属电极沉积槽，在金属电极沉积槽中制备金属电极结构，优化了铌酸锂衬底和波导衬底异质集成后制备金属电极时与CMOS工艺不兼容的缺陷，同时避免了低温制备波导结构，降低了波导结构的光学损耗，提高了铌酸锂调制器件的性能。
本发明授权一种铌酸锂调制器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铌酸锂调制器件的制备方法，其特征在于，包括： 在波导衬底的波导结构两侧分别制备形成金属沉积槽，在所述金属沉积槽内沉积金属电极； 在所述金属沉积槽内填充金属保护介质，以通过所述金属保护介质将所述金属电极完全覆盖； 在形成所述金属电极后的所述波导衬底上键合铌酸锂衬底，获得所述铌酸锂调制器件。
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