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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种半导体结构形成方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890041B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510368310.7，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权一种半导体结构形成方法及半导体结构是由胥沛雯;王士京;王兆祥;梁洁;王晓雯;仲凯;许竞翔设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构形成方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构形成方法及半导体结构，形成方法包括：提供衬底，在衬底的一侧上形成多个光刻胶掩膜图形，相邻两个掩膜图形之间具有开口；执行第一预处理工艺，以在开口两侧的掩膜图形的表面上形成聚合物层；执行第一刻蚀工艺，以在开口的内底壁上形成深沟槽；第一刻蚀工艺基于改良博世工艺进行，改良博世工艺为采用氦气保护的脉冲式等离子体刻蚀工艺；执行第二刻蚀工艺，使第二刻蚀作用于深沟槽的侧壁表面。本申请实现对刻蚀行为的调控和改良，有效扩大了刻蚀工艺窗口，改善了高深宽比结构下的侧壁缺陷，提高了器件的性能和可靠性。

本发明授权一种半导体结构形成方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在所述衬底的一侧上形成多个光刻胶掩膜图形，相邻两个所述掩膜图形之间具有开口； 执行第一预处理工艺，以在所述开口两侧的所述掩膜图形的表面上形成聚合物层；所述第一预处理工艺包括预沉积工艺，所述预沉积工艺用于：通过使用第一工艺气体形成的所述聚合物层对所述掩膜图形的表面进行预保护，以降低表面粗糙度； 执行第一刻蚀工艺，以在所述开口的内底壁上形成深沟槽；其中，所述第一刻蚀工艺基于改良博世工艺进行，所述改良博世工艺为采用氦气保护的脉冲式等离子体刻蚀工艺，所述改良博世工艺包括依次按刻蚀步骤、钝化层沉积步骤、刻蚀步骤形成的多个周期性循环步骤，所述钝化层沉积步骤用于形成钝化层，所述钝化层沉积在所述深沟槽的内壁上和所述聚合物层的表面上；所述聚合物层40的成分与所述钝化层的成分相一致； 执行第二刻蚀工艺，使第二刻蚀作用于所述深沟槽的侧壁表面进行刻蚀平滑处理，以进一步改善侧壁粗糙度； 其中，通过所述第一预处理工艺，以提高钝化层的沉积质量，避免在刻蚀深沟槽顶部时发生过度横向刻蚀，降低深沟槽顶部侧壁的粗糙度；所述改良博世工艺使用含有所述氦气的第二工艺气体，在进行所述刻蚀步骤时，还在所述第二工艺气体中添加O2不添加H2，以形成致密的氧化物层，和钝化层一起形成双重保护薄膜，对中部刻蚀形貌提供保护，以在提高钝化层质量的同时，使得刻蚀结果垂直度更好，并降低侧壁粗糙度，所述第二工艺气体中包括配置于所述刻蚀步骤的刻蚀气体，和配置于所述钝化层沉积步骤的钝化气体，添加O2时，O2的流量为所述钝化气体流量的10%～20%；所述第二刻蚀工艺作为后处理，使用包括CF4、O2、Ar、He中的至少一种的第三工艺气体，用于对所述深沟槽的侧壁表层进行刻蚀平滑处理以降低表面粗糙度。

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