长鑫科技集团股份有限公司冯毅伟获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311377402.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体结构及其形成方法是由冯毅伟设计研发完成，并于2023-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，该形成方法包括：提供第一介质层；在第一介质层上形成第一保护层以及位于第一保护层上的导电层；去除部分导电层，形成贯穿导电层并暴露第一保护层的多个空腔；空腔将导电层划分为多个导电结构；在空腔中形成牺牲层；在牺牲层以及导电结构上形成第二保护层；去除牺牲层上的部分第二保护层，形成暴露牺牲层的开口；从开口去除牺牲层。
本发明授权一种半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于， 包括： 提供第一介质层； 在所述第一介质层上形成第一保护层以及位于所述第一保护层上的导电层； 去除部分所述导电层，形成贯穿所述导电层并暴露所述第一保护层的多个空腔；所述空腔将所述导电层划分为多个导电结构； 在所述空腔中形成牺牲层； 在所述牺牲层以及所述导电结构上形成第二保护层； 去除所述牺牲层上的部分第二保护层，形成暴露所述牺牲层的开口； 从所述开口去除所述牺牲层； 所述多个导电结构沿第一方向排布，且每个所述导电结构沿第二方向延伸；所述第一方向与所述第二方向垂直；每个所述空腔中的牺牲层上均形成有多个开口； 每个所述空腔中的牺牲层上的多个开口沿所述第二方向排布； 沿所述第一方向相邻的两个所述导电结构之间的尺寸为W1，所述开口沿所述第一方向的尺寸为W2；W2:W1的范围为1:3～1:2。
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