西安交通大学陈小亮获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利抗压抗拉伸的低方阻自愈合柔性透明导电膜及制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119905291B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510408989.8,技术领域涉及:H01B5/14;该发明授权抗压抗拉伸的低方阻自愈合柔性透明导电膜及制造方法是由陈小亮;邵金友;王诗怡;杨波;芦嘉磊;陈思;田洪淼;李祥明;王春慧;陈小明设计研发完成,并于2025-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本抗压抗拉伸的低方阻自愈合柔性透明导电膜及制造方法在说明书摘要公布了:抗压抗拉伸的低方阻自愈合柔性透明导电膜及制造方法,导电膜的柔性基底表面具有微纳尺度网格互联的凹槽,凹槽下层填充固态导电层,上层填充液态导电材料以及封装层;制造方式是首先得到具有网格互联凹槽结构的柔性基底,使用电场驱动向凹槽内填充导电浆料,固化形成固态导电层,在上层填充液态导电材料形成液态导电层,最后进行封装完成导电膜的制备;当外界压力、拉伸作用于导电膜时,固态导电层材料产生微裂纹,上层液态导电材料无延迟自主愈合填充裂纹维持稳定导通;同时通过控制网格互联凹槽的线宽与排列实现透明度的调控,兼具了导电性高、透明度高、环境适应性强、抗压性强、可拉伸性强、寿命更长的优点。
本发明授权抗压抗拉伸的低方阻自愈合柔性透明导电膜及制造方法在权利要求书中公布了:1.抗压抗拉伸的低方阻自愈合柔性透明导电膜,其特征在于,包括柔性基底4,柔性基底4表面具有嵌入式的微纳尺度网格互联的凹槽2’,凹槽2’内填充有两层导电材料,下层为导电材料6形成的固态导电层7,上层为液态导电材料9,液态导电材料9和固态导电层7能够稳定共存,当外界多种变形下,下层的固态导电层7产生微裂纹时,上层的液态导电材料9由于其流动性无延迟自主愈合填充固态导电层7产生的微裂纹维持稳定导通,凹槽2’表面设有封装层;液态导电材料9和固态导电层7约束在嵌入式的微纳尺度网格互联的凹槽2’内部实现柔性导电膜的抗压性能; 所述固态导电层7的厚度为40μm; 所述液态导电材料9的刮涂厚度为40μm; 所述固态导电层7,在电场力辅助下,向柔性基底4的凹槽2’内填充导电材料6,固化形成;具体是:将液态的导电材料6注入导电喷头5中,导电衬底3与导电喷头5之间接入交流电,电场力发挥作用,导电材料6被填充到柔性基底4的凹槽2’内部,移动导电喷头5,控制导电材料6的填充量,确保导电材料6填充至其他预定的凹槽2’位置,加热烘干待其固化,完成固态导电层7的制备; 所述液态导电材料9,利用刮涂的方式,向凹槽2’内的固态导电层7上填充液态导电材料9形成。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学,其通讯地址为:710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励