浙江大学;国网浙江省电力有限公司电力科学研究院盛况获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学;国网浙江省电力有限公司电力科学研究院申请的专利一种平面栅MOSFET结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907271B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411850715.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种平面栅MOSFET结构及其制备方法是由盛况;王珩宇;郭清;张弛;王异凡;曾明全;孙明设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种平面栅MOSFET结构及其制备方法在说明书摘要公布了：一种平面栅MOSFET结构及其制备方法，属于平面栅MOSFET技术领域，一种平面栅MOSFET结构，包括元胞结构，所述元胞结构包括：N型衬底；N型外延层；P阱区，两个P阱区的顶部皆形成有沟道区；两个P阱区之间形成有JFET区；栅氧层包括第一栅氧区、第二栅氧区和第三栅氧区，第一栅氧区位于沟道区与栅极结构之间，第二栅氧区位于N型区与栅极结构之间，第三栅氧区位于JFET区与栅极结构之间，第二栅氧区的最大厚度大于第一栅氧区的厚度，第三栅氧区的最大厚度大于第一栅氧区的厚度。本申请通过优化MOSFET栅氧的厚度分布，保证沟道处栅氧具有的低界面态密度、高迁移率的导通优势，降低了栅氧泄漏电流，提高了栅氧可靠性，同时也减小了栅氧电容，提高了MOSFET的开关速度。
本发明授权一种平面栅MOSFET结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种平面栅MOSFET结构，其特征在于，包括元胞结构，所述元胞结构包括： N型衬底； N型外延层，所述N型外延层设置在所述衬底上； P阱区，所述P阱区设置有两个，两个P阱区设置在所述N型外延层的顶部两侧，两个所述P阱区中皆设置有N型区和P型区，两个P阱区的顶部皆形成有沟道区；两个P阱区之间形成有JFET区； 所述N型外延层的上表面设置有栅氧层，所述栅氧层上设置有栅极结构；所述栅氧层包括第一栅氧区、第二栅氧区和第三栅氧区，所述第一栅氧区位于所述沟道区与所述栅极结构之间，所述第二栅氧区位于所述N型区与所述栅极结构之间，所述第三栅氧区位于所述JFET区与所述栅极结构之间，所述第二栅氧区的最大厚度大于所述第一栅氧区的厚度，所述第三栅氧区的最大厚度大于第一栅氧区的厚度。
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