南华大学徐守龙获国家专利权
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龙图腾网获悉南华大学申请的专利双CMOS传感器与转换材料组合的中子测量系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119916430B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510207536.9，技术领域涉及：G01T3/00；该发明授权双CMOS传感器与转换材料组合的中子测量系统是由徐守龙;刘畅;魏翠悦;王治林;钟翊君;邹树梁设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本双CMOS传感器与转换材料组合的中子测量系统在说明书摘要公布了：双CMOS传感器与转换材料组合的中子测量系统，包括探测器；探测器包括感光面相对布置的两个CMOS传感器和设置在两个CMOS传感器的感光面之间的中子转换材料；中子转换材料用于与中子发生核反应并产生α射线。本发明的优点在于：将中子转换材料设置在感光面相对布置的两个CMOS传感器之间，将中子探测转化为CMOS传感器敏感的α粒子探测，既提高了中子尤其是热中子的探测效率，又实现了几乎覆盖整个球形空间的广域中子测量角度。
本发明授权双CMOS传感器与转换材料组合的中子测量系统在权利要求书中公布了：1.双CMOS传感器与转换材料组合的中子测量系统，其特征是：包括探测器；探测器包括感光面相对布置的两个CMOS传感器和设置在两个CMOS传感器的感光面之间的中子转换材料；中子转换材料用于与中子发生核反应并产生α射线； 中子转换材料为三层片状体；三层片状体由依次连接的中子转换层A、铜箔片和中子转换层B组成，中子转换层A和中子转换层B分别正对两个CMOS传感器的感光面，中子转换层A和中子转换层B分别与相对的CMOS传感器感光面贴放或隔空正对布置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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