中国人民解放军海军工程大学吴华宁获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军海军工程大学申请的专利一种VLF辐射效率计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119945582B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411988977.9，技术领域涉及：H04B17/10；该发明授权一种VLF辐射效率计算方法是由吴华宁;潘丽;艾文珵;李家鑫设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种VLF辐射效率计算方法在说明书摘要公布了：本申请涉及甚低频通信技术领域，为了解决如何精确地测量甚低频天线的辐射效率的问题，公开了一种VLF辐射效率计算方法、计算机设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品。该方法包括对水平地面上的无耗单极子天线的辐射特性进行仿真建模；将仿真得到的电场强度与通过地波传播公式计算得到的电场强度进行对比，在两者一致的情况下，将仿真得到的电场强度作为标准电场强度的参考值；对甚低频水平低架天线的辐射特性进行仿真建模，计算相同输入功率和同一位置处产生的垂直极化辐射电场强度值；基于垂直极化辐射电场强度值和标准电场强度的参考值，计算甚低频水平低架天线的辐射效率。采用本方法能够提高甚低频水平低架天线的辐射效率的测量精度。
本发明授权一种VLF辐射效率计算方法在权利要求书中公布了：1.一种VLF辐射效率计算方法，其特征在于，包括： 对水平地面上的无耗单极子天线的辐射特性进行仿真建模，计算预设发射天线的输入功率和预设收发天线之间的距离下的电场强度； 将仿真得到的所述电场强度与通过地波传播公式计算得到的电场强度进行对比，在两者一致的情况下，将仿真得到的所述电场强度作为标准电场强度的参考值； 对甚低频水平低架天线的辐射特性进行仿真建模，计算相同输入功率和同一位置处产生的垂直极化辐射电场强度值； 基于所述垂直极化辐射电场强度值和所述标准电场强度的参考值，计算甚低频水平低架天线的辐射效率。
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