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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利基于周期性电流注入结构的单纵模晶体管激光器及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119994634B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311492043.1，技术领域涉及：H01S5/065；该发明授权基于周期性电流注入结构的单纵模晶体管激光器及系统是由陈泳屹;樊鲁太;贾鹏;邱橙;宋悦;雷宇鑫;梁磊;曾玉刚;秦莉;王立军设计研发完成，并于2023-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于周期性电流注入结构的单纵模晶体管激光器及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域一种基于周期性电流注入结构的单纵模晶体管激光器及系统，其中基于周期性电流注入结构的单纵模晶体管激光器包括衬底、第一发射极、下包层、量子阱层、上包层、基极、第二发射极以及多个电极接触层；设置多个电极接触层的其中至少一包括通过两次光刻制程的周期性增益耦合电极金属接触层，各层通过金属有机化学气相沉积沿垂直方向依次生长；当周期性增益耦合电极金属接触层的宽度为半波长的整数倍时，以增强单纵模晶体管激光器在谐振腔的激射能力，完成激光选模。本申请提出的单纵模晶体管激光器，实现不需要刻蚀光栅，所以不会引入额外的晶格损耗，使得在损耗最低的情况下，实现选模功能，提高器件的单纵模式性能。

本发明授权基于周期性电流注入结构的单纵模晶体管激光器及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于周期性电流注入结构的单纵模晶体管激光器，其特征在于，包括： 周期性电流注入增益耦合电极晶体管激光器，包括衬底、第一发射极、下包层、量子阱层、上包层、基极、第二发射极以及多个电极接触层，其中，所述多个电极接触层包括发射极电极接触层、基极金属接触层和集电极电极接触层，设置所述多个电极接触层的其中至少一包括通过两次光刻制成的基级周期性增益耦合电极金属接触层，通过金属有机化学气相沉积沿垂直方向依次生长，形成PNP型晶体管激光器； 所述衬底，设置于所述周期性电流注入增益耦合电极晶体管激光器的底层，所述衬底用于支撑激光器件的外延结构并提供绝缘或导电作用； 所述第一发射极，设置并连接于所述衬底的上方，所述第一发射极用于传送射极电流； 所述发射极电极接触层，设置并连接于所述第一发射极的上方； 所述下包层，设置并连接于所述第一发射极的上方，其中，所述发射极电极接触层设置于所述下包层两侧； 所述量子阱层，设置并连接于所述下包层的上方； 所述上包层，设置于所述量子阱层的上方，其中，所述量子阱层设置于所述下包层和所述上包层的中间，所述下包层和所述上包层的折射率低于所述量子阱层的折射率，以将所述基于周期性电流注入结构的单纵模晶体管激光器内的第一部分光场限制在所述下包层、所述上包层和所述量子阱层的非掺杂区内，第二部分光场的光子被掺杂区和所述衬底吸收，在所述下包层和所述上包层靠近所述量子阱层的部分为主要的波导传输光波；其中第一部分光场的比例远大于第二部分光场的比例； 限制层导电区，设置并连接于所述上包层的上方； 限制层绝缘窗口，设置并连接于所述上包层的上方，所述限制层绝缘窗口设置于所述限制层导电区的两侧，保证载流子只从导电的绝缘窗口内部所述限制层导电区输运，限制辐射复合中心和光斑的位置； 所述基极，设置并连接于所述限制层绝缘窗口和所述限制层导电区的上方，所述基极用于传送基极电流； 所述第二发射极，设置并连接于所述基极的上方； 所述基级周期性增益耦合电极金属接触层，设置并连接于所述基极的上方，其中，所述基级周期性增益耦合电极金属接触层设置于所述第二发射极的两侧； 所述集电极电极接触层，设置并连接于所述第二发射极的上方； 所述集电极，设置于所述衬底的上方，所述集电极用于传送集电极电流； 其中，当所述基级周期性增益耦合电极金属接触层的宽度为半波长的整数倍时，以增强所述基于周期性电流注入结构的单纵模晶体管激光器在谐振腔的激射能力，完成激光选模。

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