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开平依利安达电子第五有限公司郑文玮获国家专利权

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龙图腾网获悉开平依利安达电子第五有限公司申请的专利一种超低介电常数电路板的制备工艺获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119997386B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510469151.X,技术领域涉及:H05K3/28;该发明授权一种超低介电常数电路板的制备工艺是由郑文玮;曾建华设计研发完成,并于2025-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

一种超低介电常数电路板的制备工艺在说明书摘要公布了:本发明公开了一种超低介电常数电路板的制备工艺,涉及电路板技术领域,包括以下步骤:S1:制作内层高频信号线路:在基板上通过干菲林贴膜、曝光、显影、蚀刻工艺形成高频信号线路;S2:制作防焊挡桥:在高频信号线路周围通过丝印、曝光、显影工艺形成防焊挡桥;S3:加工半固化片真空腔体区域:通过机械锣板方式把高频线路上层的半固化片锣除形成半固化片坑槽;S4:压合成型:通过棕化、排板、压板方式将所有层压合在一起形成包含真空腔体的外层半成品线路板;S5:加工非镀通孔:在真空腔体区域的非信号线位置机械钻孔形成非镀通孔,得到超低介电常数电路板。

本发明授权一种超低介电常数电路板的制备工艺在权利要求书中公布了:1.一种超低介电常数电路板的制备工艺,其特征在于:包括以下步骤:S1:制作内层高频信号线路:在内层基板上通过干菲林贴膜、曝光、显影、蚀刻工艺形成高频信号线路1; S2:制作防焊挡桥:在高频信号线路1周围通过丝印、曝光、显影工艺形成防焊挡桥2; S3:加工半固化片真空腔体区域:将半固化片覆盖在防焊挡桥2同层,通过机械锣板方式把高频线路上层的半固化片锣除,在防焊挡桥2两侧形成半固化片坑槽3; S4:压合成型:通过棕化、排板、压板方式将内层基板和外层基板压合在一起,形成包含真空腔体4的外层半成品线路板; S5:加工非镀通孔:在真空腔体4区域的非信号线位置机械钻孔形成非镀通孔5,得到超低介电常数电路板; 所述防焊挡桥2由阻焊油墨制备得到; 所述阻焊油墨的制备方法,包括以下步骤: 将萘基光固化树脂、聚氨酯改性光固化环氧树脂加入二乙二醇乙醚醋酸酯中,加入环氧官能化二氧化硅、热固化试剂、硫酸钡,球磨30-45min,加入酞菁绿、活性稀释剂、复合光引发剂,室温下搅拌3-4h,得到阻焊油墨; 阻焊油墨的制备过程中各组分按质量份数计,包括萘基光固化树脂2-4份,聚氨酯改性光固化环氧树脂1-3份,二乙二醇乙醚醋酸酯5-7份,环氧官能化二氧化硅0.25-0.3份,热固化试剂0.25-3份,硫酸钡0.75-1份,酞菁绿0.1-0.15份,活性稀释剂0.15-0.2份,复合光引发剂0.15-0.2份。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人开平依利安达电子第五有限公司,其通讯地址为:529300 广东省江门市开平市水口镇寺前西路318号8座;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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