浙江晶科能源有限公司刘鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利一种太阳能电池片和太阳能电池片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120239370B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510702976.1，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种太阳能电池片和太阳能电池片的制备方法是由刘鑫;金井升;张彼克设计研发完成，并于2025-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池片和太阳能电池片的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种太阳能电池片和太阳能电池片的制备方法，属于光伏技术领域，所述太阳能电池片至少包括衬底、隧穿氧化层、氧化锡层和掺杂多晶硅层，沿衬底的厚度方向所述隧穿氧化层设置于所述衬底的表面，沿衬底的厚度方向所述氧化锡层设置于所述隧穿氧化层的表面，沿衬底的厚度方向所述掺杂多晶硅层设置于所述氧化锡层的表面，以使所述氧化锡层位于所述隧穿氧化层和所述掺杂多晶硅层之间。所述氧化锡层中氧原子与锡原子的数量之比F满足：1.9≤F≤2.1。通过氧化锡层设置在隧穿氧化层和掺杂多晶硅层之间，由于氧化锡层具有优良的导电性和透光性，有利于减少寄生吸收，以使更多的光能够被衬底吸收，提高了太阳能电池片的光电转换效率。
本发明授权一种太阳能电池片和太阳能电池片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片至少包括： 衬底1； 隧穿氧化层2，沿所述衬底1的厚度方向，所述隧穿氧化层2设置于所述衬底1的表面； 氧化锡层3，沿所述衬底1的厚度方向，所述氧化锡层3设置于所述隧穿氧化层2的表面； 掺杂多晶硅层5，沿所述衬底1的厚度方向，所述掺杂多晶硅层5设置于所述氧化锡层3的表面，以使所述氧化锡层3位于所述隧穿氧化层2和所述掺杂多晶硅层5之间； 所述氧化锡层3中氧原子与锡原子的数量之比F满足：1.9≤F≤2.1； 所述氧化锡层3中氧空位浓度λ满足：1×1015cm-3≤λ≤1×1018cm-3。
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