中国科学院上海光学精密机械研究所朱美萍获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海光学精密机械研究所申请的专利一种用于磁控溅射系统的选择性基底偏压调控装置及多层膜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120291035B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510319918.0，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种用于磁控溅射系统的选择性基底偏压调控装置及多层膜制备方法是由朱美萍;宋洪萱;杜文云;王涛;李静平;邵建达设计研发完成，并于2025-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于磁控溅射系统的选择性基底偏压调控装置及多层膜制备方法在说明书摘要公布了：一种用于磁控溅射系统的选择性基底偏压调控装置及多层膜制备方法，该装置包括滑轨1、导电滑轨2和导电杆3。滑轨1固定在磁控溅射系统真空腔顶部，导电滑轨2可拆卸地安装在滑轨1上；导电滑轨2安装起点与膜层生长起点的距离≥d4，其中d为基底组件掠过一个靶材的路径长度。导电滑轨2长度为安装起点至膜层生长终点对应的路径长度。基底组件通过导电杆3与导电滑轨2实现电接触。本发明装置通过设计导电滑轨2长度与安装位置，实现多层膜体系中不同膜层偏压的选择性调控。通过控制导电滑轨2安装起点与膜层生长起点位置距离≥d4，在提高膜层平整度的同时避免偏压引起额外的界面扩散，从而提高多层膜的光学性能。该装置适用于大多数行星运动式磁控溅射设备，不受限于基底形状，且可广泛应用于各类材料膜层的沉积。
本发明授权一种用于磁控溅射系统的选择性基底偏压调控装置及多层膜制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于磁控溅射系统的选择性基底偏压调控装置，其特征在于，包括： 滑轨1，固定于磁控溅射系统真空腔顶部； 导电滑轨2，可拆卸地安装在滑轨1上，该导电滑轨2的安装起点与膜层生长起点之间的水平距离≥d4，其中，d为基底组件掠过单靶材的路径长度，且导电滑轨2的长度为从安装起点至膜层生长终点对应的路径长度； 导电杆3，用于连接所述基底组件与所述导电滑轨2，确保基底组件在运动过程中保持与导电滑轨2的弹性电接触； 所述导电滑轨2的安装位置和长度根据靶材分布及膜层生长路径分段设置，以实现多层膜体系中不同膜层偏压的选择性调控； 所述滑轨1的安装方向与磁控溅射系统基底组件运动平面平行。
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