买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉广州大学申请的专利一种测量半导体材料本征载流子迁移率的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120293923B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510451680.7，技术领域涉及：G01N21/63；该发明授权一种测量半导体材料本征载流子迁移率的方法是由张伟;郑妍;邹政;肖梓杰;钟健斌;吴铁辉设计研发完成，并于2025-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种测量半导体材料本征载流子迁移率的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种测量半导体材料本征载流子迁移率的方法，涉及半导体材料性能测量技术领域；该方法包括如下步骤：搭建半导体材料本征载流子迁移率的测量系统；使用光学延迟线不断改变探测光以及泵浦光之间的相对时间延时，且获取有泵浦光作用以及无泵浦光作用下的探测光光强，测试得到半导体材料的瞬态反射动力学谱，提取得到布里渊振荡信号；基于布里渊振荡信号，计算电子形变势、空穴形变势、半导体材料弹性模量；基于电子形变势、空穴形变势和半导体材料弹性模量，计算得到半导体材料的本征载流子电子和空穴迁移率。针对当前尚缺乏一种能够实验测量材料本征载流子迁移率的方法，本发明中测量方法填补领域空白。

本发明授权一种测量半导体材料本征载流子迁移率的方法在权利要求书中公布了：1.一种测量半导体材料本征载流子迁移率的方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、选择半导体材料作为样品，搭建半导体材料本征载流子迁移率的测量系统，利用飞秒激光脉冲激发半导体材料； S2、采用测量系统对布里渊振荡信号进行探测：使用光学延迟线不断改变探测光以及泵浦光之间的相对时间延时，且获取有泵浦光作用以及无泵浦光作用下的探测光光强，测试得到半导体材料的瞬态反射动力学谱；基于瞬态反射动力学谱提取得到布里渊振荡信号； S3、基于布里渊振荡信号，获取半导体材料弹性模量、半导体材料的相对缺陷态密度表征，计算电子形变势、空穴形变势； 计算得到电子形变势、空穴形变势，具体为： 选取激发光子数密度N相同的激发光子能量分别为和的激发光激发同一样品，在时，测得的两布里渊振荡信号幅值之比，得到形变势压和两种激发条件下的热弹性压和的表达式，即： 在相同激发条件下，激发缺陷态密度分别为n和的两个缺陷态密度不同的单晶样品，得到如下关系式： 其中，和为相同激发条件下两个半导体材料的热弹性压，和为两个半导体材料的形变势压；为已知的相对缺陷态密度系数；和分别为已知的体积弹性模量和线膨胀系数，为已知的材料热容；表示激发光子能量，N表示激发光子密度，、N为实验参数；n为电子缺陷态密度；表示缺陷态与导带底间的能量差； 依次得出电子形变势、空穴形变势、电子缺陷态密度n； S4、基于电子形变势、空穴形变势和半导体材料弹性模量，计算得到半导体材料的本征载流子迁移率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州大学，其通讯地址为：510006 广东省广州市番禺区大学城外环西路230号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。