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龙图腾网获悉达波科技(上海)有限公司申请的专利一种压电单晶复合薄膜材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120302864B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510403762.4，技术领域涉及：H10N30/085；该发明授权一种压电单晶复合薄膜材料的制备方法是由杨朋辉;薛成龙;柏文文;王含冠;杨凯;刘培森;肖博远;周鑫辰;高嘉骏;华千慧;国洪辰;崔健设计研发完成，并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种压电单晶复合薄膜材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体材料制造技术领域，具体涉及一种压电单晶复合薄膜材料的制备方法，包括下述步骤：压电功能材料进行离子注入，支撑衬底表面进行湿法氧化处理，随后清洗并吹干，使用氧气和氮气混合等离子体对支撑衬底、压电功能材料表面进行活化处理，低真空环境下进行预键合、静置，氮气退火、减薄、剥离，该制备方法工艺简单，成本低，通过该方法制备得到的复合薄膜键合强度高，剥离界面无损伤，同时有效避免了崩裂、碎片，有效提高良率，有利于工业化的生产。

本发明授权一种压电单晶复合薄膜材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种压电单晶复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括下述步骤： 1压电功能材料进行离子注入； 2支撑衬底表面进行湿法氧化处理，随后清洗并吹干； 3使用氧气和氮气混合等离子体对支撑衬底、压电功能材料表面进行活化处理； 4低真空环境下进行预键合、静置； 5氮气退火、减薄、剥离； 所述支撑衬底和压电功能材料在使用前，支撑衬底为单面抛光，压电功能材料为双面抛光，支撑衬底和压电功能材料的抛光面表面均方根粗糙度均小于0.5nm； 所述离子注入的离子种类为H离子、He离子、O离子中的一种或以上任意元素的离子混合物；所述离子注入能量为1-300keV，注入剂量为1×1015-1×1018cm2； 所述湿法氧化处理的工艺条件：浓氧化性氨溶液的混合比例为NH4OH：H2O2：H2O＝3-6：1-3：3，氧化时间为1-120min，工艺温度≤65℃； 所述活化处理的工艺条件：等离子体活化腔室的真空度为1×10-5-1Pa，所使用的氧气等离子体气体流速为100-500sccm，氮气等离子体气体流速为100-500sccm，等离子体发射器上频功率为40-80W，下频功率为10-50W，工艺时间为15-90s； 所述支撑衬底为Si、SiC中的一种或多种复合衬底；所述压电功能材料为LiNbO3、LiTaO3其中的一种晶体材料。

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