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龙图腾网获悉北京晶澳太阳能光伏科技有限公司申请的专利一种背接触太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120344036B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510808031.8，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种背接触太阳能电池是由张泽宁;张俊兵;陈孝业;陈斌;蒋秀林;尹海鹏;欧阳子设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明涉及一种背接触太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域，背接触太阳能电池包括：硅基体，其背表面包括第一区域、第二区域和交叉区，第一区域高于第二区域，交叉区包括台阶；第一区域由硅基体的表面向外顺次叠层设置有第一载流子收集层和第一导电层；第二区域由硅基体的表面向外顺次叠层设置有第二载流子收集层和第二导电层，第二导电层未延伸至台阶的台阶面；交叉区包括位于台阶面上并延伸至台阶面边缘的第三交叉区，第二载流子收集层由第二区域向第三交叉区延伸，且第三交叉区的表面设有第二载流子收集层，第三交叉区未设置第一载流子收集层。该电池具有优异的防漏电效果和光电转换效率。

本发明授权一种背接触太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括： 硅基体100，背表面包括第一区域A、第二区域B和位于所述第一区域A和所述第二区域B之间的交叉区C，所述第一区域A高于所述第二区域B，所述交叉区C包括台阶110； 所述第一区域A由所述硅基体100的表面向外顺次叠层设置有第一载流子收集层200和第一导电层310； 所述第二区域B由所述硅基体100的表面向外顺次叠层设置有第二载流子收集层400和第二导电层510，所述第二导电层510未延伸至所述台阶110的台阶面，所述第二导电层510与所述台阶110的侧面之间具有水平间距，所述第一导电层310与所述第二导电层510之间通过高度差形成垂直隔离； 所述交叉区C包括位于所述台阶面上并延伸至所述台阶面边缘的第三交叉区C3，所述第二载流子收集层400由所述第二区域B向所述第三交叉区C3延伸，且所述第三交叉区C3的表面设有所述第二载流子收集层400，所述第三交叉区C3未设置所述第一载流子收集层200； 所述交叉区C还包括与所述第三交叉区C3连接并向所述第一区域A延伸的第二交叉区C2以及设于所述第一区域A与所述第二交叉区C2之间的第一交叉区C1，所述第二交叉区C2和第一交叉区C1均由所述硅基体100的表面向外顺次设有叠层的所述第一载流子收集层200、所述第二载流子收集层400， 所述第一交叉区C1的宽度为50-150μm，所述第二交叉区C2的宽度为30-90μm。

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