北京芯力技术创新中心有限公司刘括获国家专利权
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龙图腾网获悉北京芯力技术创新中心有限公司申请的专利具有穿透式导电硅通孔的硅转接板制造方法及硅转接板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120413527B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510593839.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权具有穿透式导电硅通孔的硅转接板制造方法及硅转接板是由刘括;田焕娜;徐鹏;赵博设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有穿透式导电硅通孔的硅转接板制造方法及硅转接板在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件制造领域，尤其涉及一种具有穿透式导电硅通孔的硅转接板制造方法及硅转接板。方法包括：以在背面沿着边缘形成一圈结构环的方式，将后续用作硅中介层的晶圆研磨到产品设计厚度；将结构环切开而形成狭缝；制作硅中介层，向晶圆内部填充有机材质并进行固化，以贯穿所述硅中介层的方式形成导电硅通孔；形成再分布金属层，将芯片键合；将有机材质去除，去除多余的材质。利用本发明，创新性地研发了穿透式的TSV结构，显著降低了工艺难度，并提升了工艺完成效果。
本发明授权具有穿透式导电硅通孔的硅转接板制造方法及硅转接板在权利要求书中公布了：1.一种具有穿透式导电硅通孔的硅转接板制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1，以在背面沿着边缘形成一圈结构环的方式，将后续用作硅中介层的晶圆研磨到产品设计厚度； 步骤S2，将所述结构环切开而形成使所述结构环分段的狭缝，用作后续工艺中产生的浆料流出的流体通道； 步骤S3，制作硅中介层，向晶圆内部填充有机材质并进行固化，以贯穿所述硅中介层的方式形成导电硅通孔； 步骤S4，对硅中介层形成再分布金属层，将芯片键合到硅中介层上； 步骤S5，将所述晶圆内部的固化有机材质去除，去除晶圆背后的结构环以及导电硅通孔制备工艺中引入的多余的材质。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京芯力技术创新中心有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京市北京经济技术开发区永昌中路16号3号楼1层、2层201；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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