浙江晶越半导体有限公司高冰获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶越半导体有限公司申请的专利一种大尺寸碳化硅单晶的生长装置及碳化硅单晶制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120425457B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510933931.5，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种大尺寸碳化硅单晶的生长装置及碳化硅单晶制备方法是由高冰;王博设计研发完成，并于2025-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大尺寸碳化硅单晶的生长装置及碳化硅单晶制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于碳化硅单晶材料技术领域，尤其涉及一种大尺寸碳化硅单晶的生长装置及碳化硅单晶制备方法，所述大尺寸碳化硅单晶的生长装置的粉料区内设置有多孔石墨筒，所述多孔石墨筒沿粉料区的边缘向中心方向阶梯式分布，且高度从边缘向中心逐级递增；所述粉料区的顶部设置有多层层叠排列的石墨孔板，所述多孔石墨筒的上端部与对应层石墨孔板的上表面平齐，且所述多孔石墨筒贯穿所述石墨孔板，从而形成从粉料区至长晶区的连续气相传输通道。本申请通过在碳化硅原料区按阶梯式设置若干多孔石墨筒，稳定原料区的温场分布，优化气相布局，并且过滤气相组分中的杂质，改善晶体中的微管、包裹物和位错等缺陷。
本发明授权一种大尺寸碳化硅单晶的生长装置及碳化硅单晶制备方法在权利要求书中公布了：1.一种大尺寸碳化硅单晶的生长装置，包括石墨坩埚，所述石墨坩埚的下部为用于容纳碳化硅粉料的粉料区，上部为用于晶体生长的长晶区，所述长晶区为石墨坩埚的顶部粘结有籽晶，其特征在于： 所述粉料区内设置有多孔石墨筒，所述多孔石墨筒沿粉料区的边缘向中心方向阶梯式分布，且高度从边缘向中心逐级递增； 所述粉料区的顶部设置有多层层叠排列的石墨孔板，从而形成由中心区域至边缘区域高度逐级递减的阶梯状结构； 所述石墨孔板用于固定所述多孔石墨筒，从而阻隔并引导气流通过所述多孔石墨筒； 所述多孔石墨筒的上端部与对应层石墨孔板的上表面平齐，且所述多孔石墨筒贯穿所述石墨孔板，从而形成从粉料区至长晶区的连续气相传输通道。
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