昆山清元电子科技有限公司刘隽甫获国家专利权
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龙图腾网获悉昆山清元电子科技有限公司申请的专利高压多层薄膜电容器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120473335B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510977851.X，技术领域涉及：H01G4/33；该发明授权高压多层薄膜电容器及其制备方法是由刘隽甫;张力;蒋佳;刘亦谦;孙士伦设计研发完成，并于2025-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本高压多层薄膜电容器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种高压多层薄膜电容器及其制备方法，属于多层薄膜电容器技术领域。该高压多层薄膜电容器包括：导电基板、中间体和外电极层；中间体设置在导电基板上，包括L层薄膜介电层和L‑1层内电极层，L层薄膜介电层与L‑1层内电极层交替叠加设置；中间体的顶层和底层均为薄膜介电层；外电极层与各内电极层、导电基板电连接；所述的薄膜介电层由铁电‑反铁电复合固溶体制成。本发明能够提高薄膜电容器的电容体积效率、击穿电场和储能性能。
本发明授权高压多层薄膜电容器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高压多层薄膜电容器，其特征在于，包括：导电基板、中间体和外电极层； 中间体设置在导电基板上，包括L层薄膜介电层和L-1层内电极层，L层薄膜介电层与L-1层内电极层交替叠加设置；中间体的顶层和底层均为薄膜介电层；外电极层与各内电极层、导电基板电连接； 任意一层所述的薄膜介电层由PbxLa1-xZryTi1-yO3-mBiFeO3-nBaTiO3、PbxLa1-xZryTi1-yO3-mBi0.5Na0.5TiO3-nBaTiO3、PbxLa1-xZryTi1-yO3-zBi0.5Na0.5TiO3中的任意一种复合固溶体制成；其中，x=0.90～0.97，y≥0.90，m+n≤0.5且m、n﹥0，0﹤z≤0.5。
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