浙江德汇电子陶瓷有限公司;绍兴德汇半导体材料有限公司黄世东获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江德汇电子陶瓷有限公司;绍兴德汇半导体材料有限公司申请的专利一种覆铜陶瓷基板及半蚀刻方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120527232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511016063.0，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种覆铜陶瓷基板及半蚀刻方法和应用是由黄世东;王彬;沈轶聪设计研发完成，并于2025-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种覆铜陶瓷基板及半蚀刻方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及覆铜板制造技术领域，具体涉及一种覆铜陶瓷基板及半蚀刻方法和应用，所述方法包括以下步骤：S.1在覆铜陶瓷基板上下表面形成光致保护层；S.2通过曝光在所述保护层上图案化，从而在覆铜陶瓷基板上表面全蚀刻区域处形成第一图案，在覆铜陶瓷基板下表面半蚀刻区域形成第二图案；S.3单次蚀刻处理，从而蚀刻第一图案处暴露的全蚀刻区域形成贯通线路，并在第二图案处暴露的半蚀刻区域同时形成半蚀刻槽。本申请无需进行多余的工序操作即可在单次刻蚀的条件下，实现在覆铜陶瓷基板下表面半蚀刻的效果，从而能够有效改善产品因两侧铜箔体积比差异而导致的基板翘曲问题。
本发明授权一种覆铜陶瓷基板及半蚀刻方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种覆铜陶瓷基板半蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤： S.1在覆铜陶瓷基板上下表面形成光致保护层； S.2通过曝光在所述保护层上图案化，从而在覆铜陶瓷基板上表面全蚀刻区域处形成第一图案，在覆铜陶瓷基板下表面半蚀刻区域形成第二图案； 其中，所述第二图案中根据其宽度沿蚀刻方向延伸动态设置固化保护带； 所述固化保护带的设置数量根据第二图案的宽度X确定： X≤0.4mm时，不设置固化保护带； 0.4mmX≤0.8mm时，设置1条固化保护带； 0.8mmX≤1.2mm时，设置2条固化保护带； 1.2mmX≤1.6mm时，设置3条固化保护带； S.3单次蚀刻处理，从而蚀刻第一图案处暴露的全蚀刻区域形成贯通线路，并在第二图案处暴露的半蚀刻区域同时形成半蚀刻槽。
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