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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种多波段发光二极管外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120529709B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510992160.7，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种多波段发光二极管外延结构及其制备方法是由舒俊;高虹;郑文杰;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多波段发光二极管外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种多波段发光二极管外延结构及其制备方法。所述多波段发光二极管外延结构，自下而上依次包括：衬底、缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型半导体层，多量子阱发光层包括由下至上依次层叠生长的四个子层：第一长波青光多量子阱层、第二短波青光多量子阱层、第三长波蓝光多量子阱层、第四短波蓝光多量子阱层，发光波长依次递减。同时结合对各多量子阱发光层的子层的设计，通过各波段激发光的协同作用，可提高整体的激发效率，输出全光谱白光，更接近于日光，发光效率高，显色性好，稳定性更佳，而且对人眼伤害小。

本发明授权一种多波段发光二极管外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多波段发光二极管外延结构，其特征在于：自下而上依次包括：衬底、缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型半导体层； 所述多量子阱发光层包括由下至上依次层叠生长的第一长波青光多量子阱层、第二短波青光多量子阱层、第三长波蓝光多量子阱层和第四短波蓝光多量子阱层； 所述第一长波青光多量子阱层、第二短波青光多量子阱层、第三长波蓝光多量子阱层、第四短波蓝光多量子阱层的发光波长依次递减； 所述第一长波青光多量子阱层、第二短波青光多量子阱层、第三长波蓝光多量子阱层、第四短波蓝光多量子阱层均包括由下至上依次层叠生长的四个子层：N极性阱前插入层、Ga极性发光量子阱层、N极性阱后插入层、Ga极性发光量子垒层； 所述N极性阱前插入层包括由下至上依次层叠生长的N极性低In组分InGaN层、N极性第一渐变AlGaN层和N极性第一渐变InGaN层；其中，所述N极性低In组分InGaN层为低掺杂有Si元素的低In组分N极性InGaN单层或多层结构；所述N极性第一渐变AlGaN层为由下至上Al组分递增的N极性AlGaN材料，且AlGaN材料中不进行故意掺杂；所述N极性第一渐变InGaN层为由下至上In组分递增的N极性InGaN材料，且InGaN材料中不进行故意掺杂； 所述Ga极性发光量子阱层为不进行故意掺杂的高In组分Ga极性InGaN单层或多层结构； 所述N极性阱后插入层包括由下至上依次层叠生长的N极性第二渐变InGaN层、N极性第二渐变AlGaN层和N极性非掺GaN层；其中，所述N极性第二渐变InGaN层为由下至上In组分递减的N极性InGaN材料，且InGaN材料中不进行故意掺杂；所述N极性第二渐变AlGaN层为由下至上Al组分递减的N极性AlGaN材料，且AlGaN材料中不进行故意掺杂；所述N极性非掺GaN层为不进行故意掺杂的N极性GaN单层或多层结构； 所述Ga极性发光量子垒层为低掺杂有Si元素的Ga极性GaN单层或多层结构； 所述N极性第一渐变AlGaN层的Al组分含量≥所述N极性第二渐变AlGaN层的Al组分含量； 所述N极性低In组分InGaN层中In组分含量为0~0.03，生长厚度不超过0.5nm，Si掺杂浓度为1.18×1017cm3~6.79×1017cm3； 所述第一长波青光多量子阱层中的Ga极性发光量子阱层In组分含量为0.20~0.21，生长厚度为2.15nm~4.8nm； 所述Ga极性发光量子垒层的生长厚度为6.5nm~13.8nm，Si掺杂浓度为2.15×1017cm3~8.79×1017cm3。

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