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龙图腾网获悉合肥芯胜半导体有限公司申请的专利GaAs衬底上生长有CdTe外延层的半导体材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120556145B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511065249.5，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权GaAs衬底上生长有CdTe外延层的半导体材料及其制备方法是由郭宏娜设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本GaAs衬底上生长有CdTe外延层的半导体材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种GaAs衬底上生长有CdTe外延层的半导体材料及其制备方法，属于半导体材料技术领域。该GaAs衬底上生长有CdTe外延层的半导体材料，包括依次层叠设置的GaAs衬底、异质缓冲层和CdTe外延层；异质缓冲层包括第一富金属层、ZnSeTe层、第二富金属层、ZnTe层、第三富金属层和CdZnTe层，所述第一富金属层、ZnSeTe层、第二富金属层、ZnTe层、第三富金属层、CdZnTe层依次逐层位于GaAs衬底和CdTe外延层之间；异质缓冲层的厚度为500~1000nm，CdZnTe层的Cd组分比例从靠近GaAs衬底一侧向远离GaAs衬底一侧逐渐增加，Zn组分比例从靠近所述GaAs衬底一侧向远离GaAs衬底一侧逐渐减小。本发明的半导体材料具有较薄的厚度，且异质缓冲层能够有效释放应力，降低CdTe外延层的缺陷密度。

本发明授权GaAs衬底上生长有CdTe外延层的半导体材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaAs衬底上生长有CdTe外延层的半导体材料，其特征在于，包括依次层叠设置的GaAs衬底、异质缓冲层和CdTe外延层； 异质缓冲层包括第一富金属层、ZnSeTe层、第二富金属层、ZnTe层、第三富金属层和CdZnTe层，第一富金属层、ZnSeTe层、第二富金属层、ZnTe层、第三富金属层、CdZnTe层依次逐层位于GaAs衬底和CdTe外延层之间； 异质缓冲层的厚度为500~1000nm，其中CdZnTe层的Cd组分比例从靠近GaAs衬底一侧向远离GaAs衬底一侧逐渐增加，Zn组分比例从靠近GaAs衬底一侧向远离GaAs衬底一侧逐渐减小； 第一富金属层为金属含量：非金属含量大于1:1的富金属GaZnSeTe层；第二富金属层为金属含量：非金属含量大于1:1的富金属ZnTe层；第三富金属层为金属含量：非金属含量大于1:1的富金属ZnTe层。

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