成都川电自控工程技术有限公司孙晓旭获国家专利权
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龙图腾网获悉成都川电自控工程技术有限公司申请的专利一种覆膜电阻器及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120565219B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510762602.9，技术领域涉及：H01C7/00；该发明授权一种覆膜电阻器及其加工方法是由孙晓旭;朱江设计研发完成，并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种覆膜电阻器及其加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及高精密电阻器件领域，更具体的说是一种覆膜电阻器及其加工方法。一种覆膜电阻器，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板的左右两端均一体成型有圆柱部，陶瓷基板上沉积有镍铬合金薄膜，每个圆柱部上均套有套筒，每个套筒上均设置有金属片。加工方法包括：S1：将陶瓷基板用去离子水进行超声清洗，去除表面的油污、灰尘和杂质，然后烘干备用；S2：将镍铬合金放入存储锅内，将陶瓷基板固定在蒸发箱内的四个夹杆上；S3：将盖板盖在蒸发箱上，将蒸发箱内部抽气成低气压状态；S4：驱动电阻加热圈对存储锅内的镍铬合金进行加热，使得镍铬合金蒸发，镍铬合金以气态形式扩散。
本发明授权一种覆膜电阻器及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种覆膜电阻器，包括陶瓷基板501，其特征在于：所述陶瓷基板501的左右两端均一体成型有圆柱部502，陶瓷基板501上沉积有镍铬合金薄膜，每个圆柱部502上均套有套筒504，套筒为金属制成，且套筒与陶瓷基板上的镍铬合金薄膜紧密贴合，所述陶瓷基板501的左右两端均设置有插孔506，每个套筒504的上下两端均设置有凸片505，凸片505插在对应的插孔506上，陶瓷基板501的外侧包覆有塑料套507。
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