山西鼎芯晶体材料有限公司;山西华芯晶图科技有限公司肖迪获国家专利权
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龙图腾网获悉山西鼎芯晶体材料有限公司;山西华芯晶图科技有限公司申请的专利一种晶体生长的动态检测方法以及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120635093B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511138867.8，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权一种晶体生长的动态检测方法以及系统是由肖迪;肖燕青;秦冒晓;孙亮设计研发完成，并于2025-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶体生长的动态检测方法以及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶体生长的动态检测方法以及系统，本发明涉及晶体检测的技术领域，基于各个晶体生长区域的场景识别而确定对应的晶体生长场景，根据多个晶体特征的形态、对应的时间节点和对应的晶体生长场景确定晶体生长动态图，保证了晶体生长动态图的精准性。因此，基于晶体生长动态图的异常区域的识别而确定晶体特征的异常部位，根据该晶体特征的异常部位的追溯而确定该晶体特征在坩埚的异常生长参数；基于该晶体特征的异常部位的遍历而确定异常变化量，并根据异常变化量和该晶体特征的异常部位的空间位置触发坩埚对该晶体特征的局部补偿措施，保证了坩埚对该晶体特征的局部补偿措施的精准性，实现了该晶体特征的动态检测和自主优化。
本发明授权一种晶体生长的动态检测方法以及系统在权利要求书中公布了：1.一种晶体生长的动态检测方法，其特征在于，包括： 晶体处于坩埚内，采集坩埚在预设时间段的多个内部图像，并标记各个内部图像中的晶体生长区域； 基于各个晶体生长区域的晶体识别而确定多个晶体特征，多个晶体特征对应不同的时间节点； 基于各个晶体生长区域的场景识别而确定对应的晶体生长场景，根据多个晶体特征的形态、对应的时间节点和对应的晶体生长场景确定晶体生长动态图； 在晶体生长动态图中，基于晶体生长动态图的异常区域的识别而确定晶体特征的异常部位，根据该晶体特征的异常部位的追溯而确定该晶体特征在坩埚的异常生长参数； 基于该晶体特征的异常部位的遍历而确定异常变化量，并根据异常变化量和该晶体特征的异常部位的空间位置触发坩埚对该晶体特征的局部补偿措施，以触发该晶体特征的异常部位的自主优化。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山西鼎芯晶体材料有限公司;山西华芯晶图科技有限公司，其通讯地址为：030000 山西省太原市山西转型综合改革示范区唐槐产业园开元街6号1幢2层2052室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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