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龙图腾网获悉江苏丽隽功率半导体有限公司申请的专利一种超高压平面MOS的电荷调控方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120639079B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511129574.3，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种超高压平面MOS的电荷调控方法及系统是由范捷;王绍荣设计研发完成，并于2025-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超高压平面MOS的电荷调控方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超高压平面MOS的电荷调控方法及系统，涉及半导体器件性能调控相关领域，包括：在器件漂移区预构建可重构耗尽层功能；基于预设时间窗进行可重构耗尽层功能的状态感知；依据实时工作状态进行驱动初始化，输出初始栅极驱动行为；对实时工作状态进行状态转移预测，输出K个预测状态特征后，进行驱动行为匹配，输出K个转移驱动行为；对可重构耗尽层功能进行状态跟踪，并根据跟踪结果与K个预测状态特征的时空关联性，从K个转移驱动行为调取更新驱动行为；控制栅极驱动电路执行多级电阻通路的动态阻抗切换。解决现有超高压平面MOS的电荷调控存在的调控精度和适应性差的技术问题，达到提高电荷调控的精度和适应性的技术效果。

本发明授权一种超高压平面MOS的电荷调控方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种超高压平面MOS的电荷调控方法，其特征在于，所述方法包括： 在超高压平面栅MOSFET的器件漂移区预构建可重构耗尽层功能，其中，所述超高压平面栅MOSFET的栅极驱动电路输出端配置有并联的多级电阻通路； 基于预设时间窗进行所述可重构耗尽层功能的状态感知，得到实时工作状态，其中，所述实时工作状态包括实时芯片结温、漏源电压变化率和漏极电流变化率； 依据所述实时工作状态进行驱动初始化，输出初始栅极驱动行为； 对所述实时工作状态进行状态转移预测，输出K个预测状态特征后，对所述K个预测状态特征进行驱动行为匹配，输出K个转移驱动行为； 对所述可重构耗尽层功能进行状态跟踪，并根据跟踪结果与所述K个预测状态特征的时空关联性，从所述K个转移驱动行为调取更新驱动行为； 采用所述更新驱动行为，控制所述栅极驱动电路执行所述多级电阻通路的动态阻抗切换； 控制所述栅极驱动电路执行所述多级电阻通路的动态阻抗切换，包括： 通过解析所述更新驱动行为，得到目标阻抗值、切换模式和切换时间窗； 根据所述目标阻抗值在预构建的开关动作映射规则库匹配目标控制开关的动作指令集； 当所述切换模式为斜坡切换时，通过阻抗反馈回路采集获得实时阻抗值，并计算所述实时阻抗值与目标阻抗值的实时阻抗偏差； 根据所述实时阻抗偏差在多级过渡策略库匹配阻抗切换策略； 加载所述动作指令集执行所述目标控制开关的状态切换后，在所述切换时间窗内，依据所述阻抗切换策略执行所述多级电阻通路的动态阻抗切换。

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