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深圳市东一思创电子有限公司程大保获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市东一思创电子有限公司申请的专利射频同轴连接器高频信号传输优化方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120652908B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511157812.1,技术领域涉及:G05B19/18;该发明授权射频同轴连接器高频信号传输优化方法是由程大保;甘晓玲设计研发完成,并于2025-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

射频同轴连接器高频信号传输优化方法在说明书摘要公布了:本发明涉及高频信号传输技术领域,公开了射频同轴连接器高频信号传输优化方法。该方法实时采集目标工作频段内传输高频信号时的原始电磁参数序列,包含阻抗变化值、介质损耗因子及导体趋肤深度测量值;对其实施分层特征解析,分离出基础传输层、界面反射层及介质耦合层特征,生成层级化电磁特征集合;依据该集合识别关键性能影响区段,构建非均匀频域分析网格,在反射敏感区用精细频段划分,传输稳定区用宽频段划分;基于此网格进行时频联合仿真,提取全频段动态传输响应谱;结合材料电磁特性数据库优化结构参数配置方案,生成优化指令集,加载至加工控制系统执行物理结构动态调整操作。

本发明授权射频同轴连接器高频信号传输优化方法在权利要求书中公布了:1.一种射频同轴连接器高频信号传输优化方法,其特征在于,所述方法包括: 实时采集射频同轴连接器在目标工作频段内传输高频信号时的原始电磁参数序列,所述原始电磁参数序列包含阻抗变化值、介质损耗因子及导体趋肤深度测量值; 对所述原始电磁参数序列实施分层特征解析,分离出基础传输层特征、界面反射层特征及介质耦合层特征,并基于各层特征的物理关联性生成层级化电磁特征集合; 根据所述层级化电磁特征集合,识别高频信号传输路径上的关键性能影响区段,并依据不同区段的空间分辨率要求构建非均匀频域分析网格,所述非均匀频域分析网格在反射敏感区采用精细频段划分,在传输稳定区采用宽频段划分; 基于所述非均匀频域分析网格,对高频信号传输过程进行时频联合仿真,提取全频段动态传输响应谱; 结合所述全频段动态传输响应谱与预设的材料电磁特性数据库,优化射频同轴连接器的结构参数配置方案,生成高频信号传输参数优化指令集; 将所述高频信号传输参数优化指令集加载至射频同轴连接器的加工控制系统,执行物理结构动态调整操作; 所述构建非均匀频域分析网格,包括: 解析所述层级化电磁特征集合中的传输损耗权重因子,标记传输损耗超过阈值的区段为反射敏感区; 解析反射抑制系数,标记系数低于预设标准的区段为传输稳定区; 对反射敏感区采用频段细粒度分割策略,生成高密度频域网格单元; 对传输稳定区采用频段聚合策略,生成宽频域网格单元; 整合高密度频域网格单元与宽频域网格单元,形成覆盖全传输路径的非均匀频域分析网格; 所述进行时频联合仿真,包括: 将所述非均匀频域分析网格导入电磁场有限元求解器,加载层级化电磁特征集合中的传输损耗权重因子作为边界条件; 在反射敏感区的高密度频域网格单元内注入多频点测试信号,采集界面反射波与传输信号的相位干涉数据; 在传输稳定区的宽频域网格单元内施加扫频激励信号,记录宽频带内信号衰减分布; 整合相位干涉数据与信号衰减分布,构建包含频点-幅度-相位三维关系矩阵的全频段动态传输响应谱。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市东一思创电子有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市南山区西丽街道松坪山社区南山高新北区科苑大道与宝深路交汇处酷派大厦C座12层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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