南昌中微半导体设备有限公司;中微半导体设备(上海)股份有限公司刘从灵获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌中微半导体设备有限公司;中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种工艺顶盖及气相沉积设备获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223458392U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202521979639.9,技术领域涉及:C23C16/44;该实用新型一种工艺顶盖及气相沉积设备是由刘从灵;谢振南;郑振宇;柴浩瑞;姜勇;郭世平设计研发完成,并于2025-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种工艺顶盖及气相沉积设备在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种工艺顶盖及气相沉积设备,属于半导体设备领域,所述工艺顶盖用于气相沉积设备,所述工艺顶盖包括:基材,其具有环状结构;耐腐蚀涂层,其覆盖所述基材的上表面;所述工艺顶盖的至少部分下表面的表面粗糙度为3μm~15μm。本实用新型通过增加工艺顶盖下表面的粗糙度,增加了工艺顶盖的下表面与附着物的结合力,进而抑制了附着物在晶圆生长过程中掉落,提高了晶圆薄膜生长的质量。
本实用新型一种工艺顶盖及气相沉积设备在权利要求书中公布了:1.一种用于气相沉积设备的工艺顶盖,其特征在于,包括: 基材,其具有环状结构; 耐腐蚀涂层,其覆盖所述基材的上表面; 所述工艺顶盖的至少部分下表面的表面粗糙度为3μm~15μm。
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