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龙图腾网获悉三花控股集团有限公司申请的专利压力传感芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223461128U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421886903.X，技术领域涉及：G01L1/20；该实用新型压力传感芯片是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本压力传感芯片在说明书摘要公布了：压力传感芯片，包括第一半导体衬底、第一敏感电阻、导电层以及第二敏感电阻，压力传感芯片具有厚度方向，沿厚度方向，第一敏感电阻、导电层以及第二敏感电阻均位于第一半导体衬底的同一侧，第一敏感电阻和第二敏感电阻相对于导电层靠近第一半导体衬底；压力传感芯片包括第一导电部，第一导电部一端与导电层电性连接，第一导电部另一端与第一半导体衬底电性连接；第一敏感电阻以及第二敏感电阻均与第一半导体衬底直接连接；定义投影面，投影面与厚度方向垂直，第一敏感电阻在投影面的正投影以及第二敏感电阻在投影面的正投影均位于导电层在投影面的正投影内，导电层为一体件。本申请能降低导电层的成型困难程度。

本实用新型压力传感芯片在权利要求书中公布了：1.一种压力传感芯片，其特征在于，包括第一半导体衬底1、第一敏感电阻11、导电层12以及第二敏感电阻13，所述第一敏感电阻11、所述导电层12以及所述第二敏感电阻13均与所述第一半导体衬底1连接，所述压力传感芯片具有厚度方向Z，沿所述厚度方向Z，所述第一敏感电阻11、所述导电层12以及所述第二敏感电阻13均位于所述第一半导体衬底1的同一侧，所述第一敏感电阻11和所述第二敏感电阻13相对于所述导电层12靠近所述第一半导体衬底1； 所述压力传感芯片包括第一导电部5，所述第一导电部5一端与所述导电层12电性连接，所述第一导电部5另一端与所述第一半导体衬底1电性连接；所述第一敏感电阻11以及所述第二敏感电阻13均与所述第一半导体衬底1直接连接； 定义投影面S，所述投影面S与所述厚度方向Z垂直，所述第一敏感电阻11在所述投影面S的正投影以及所述第二敏感电阻13在所述投影面S的正投影均位于所述导电层12在所述投影面S的正投影内，所述导电层12为一体件。

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