扬州虹扬科技发展有限公司谈为鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州虹扬科技发展有限公司申请的专利通用分立器件MOS和IGBT极限频率的测试电路获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223461662U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422565956.8,技术领域涉及:G01R31/26;该实用新型通用分立器件MOS和IGBT极限频率的测试电路是由谈为鹏;吕静设计研发完成,并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本通用分立器件MOS和IGBT极限频率的测试电路在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种通用分立器件MOS和IGBT极限频率的测试电路,其特征在于,包括:检测单元,检测单元包括:PWM发射芯片、测试芯片、电阻R1、电阻RC、电阻RG2、二极管DC、二极管DG、三级达林顿管,测试芯片的VIN+引脚接+5V、VIN‑引脚接PWM信号,VIN‑引脚通过电阻R1接+5V,VE引脚通过并联的电阻RG2和二极管DG外设输出端G,VE引脚外设输出端E,DESAT引脚接电阻RC,电阻RC接三级达灵顿管和二极管DC后外设输出端C。适用于通用分立器件MOS和IGBT频率探测,通过改变PWM的大小就可以改变频率大小,进而实现通用分立器件MOS和IGBT频率探测且连续可调。
本实用新型通用分立器件MOS和IGBT极限频率的测试电路在权利要求书中公布了:1.一种通用分立器件MOS和IGBT极限频率的测试电路,其特征在于,包括: 检测单元,包括:PWM发射芯片、测试芯片、电阻R1、电阻R3、电阻R4、电阻RC、电阻RG1、电阻RG2、二极管DC、TVS二极管DG、三级达林顿管,所述测试芯片的VIN+引脚、VCC1引脚外接+5V电压,所述测试芯片的VIN-引脚外接所述PWM发射芯片的PWM信号输出引脚,所述测试芯片的VIN-引脚通过电阻R1外接+5V电压,所述测试芯片的VE引脚通过并联的所述电阻RG2和所述TVS二极管DG外设有输出端G,所述VE引脚还直接外设输出端E,所述测试芯片的DESAT引脚与所述电阻RC连接,所述电阻RC后依次连接三级达灵顿管和所述二极管DC后外设输出端C,所述测试芯片的VCC2引脚、VC引脚通过所述电阻R3与所述电阻RC连接,所述测试芯片的VOUT引脚通过所述电阻RG1与所述输出端G连接,所述测试芯片的VEE引脚通过所述电阻R4、所述电阻RG1与所述输出端G连接; 电源输入模块,具有电源输出端; 电源管理模块,输入端与所述电源输出端电连接,输出端与所述测试芯片电连接。
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