台湾积体电路制造股份有限公司郭庭豪获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利包含复合封装体的装置结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223462212U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422131784.3，技术领域涉及：H01L23/31；该实用新型包含复合封装体的装置结构是由郭庭豪;陈承先;赖昱嘉;陈钲欣设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本包含复合封装体的装置结构在说明书摘要公布了：一种包含复合封装体的装置结构，包括第一半导体晶粒，第一半导体晶粒包括半导体基板、介电材料层、边缘环密封结构、至少一个钝化介电层以及盖金属环；介电材料层覆盖半导体基板；边缘环密封结构横向包围介电材料层，而没有任何横向开口穿过其中；至少一个钝化介电层覆盖介电材料层；盖金属环接触边缘环密封结构的顶表面部分，并横向围绕至少一个钝化介电层的下部。至少一个钝化介电层的每个角落区域除了盖金属环的对应单个倾斜棒部分之外不具有任何金属材料。替代地或额外地，具有与盖金属环不同高度的间隔金属环可以形成在至少一个钝化介电层内。
本实用新型包含复合封装体的装置结构在权利要求书中公布了：1.一种包含复合封装体的装置结构，其特征在于，该复合封装体包括一第一半导体晶粒，该第一半导体晶粒包括： 一半导体基板； 多个介电材料层，覆盖该半导体基板； 一边缘环密封结构，横向包围多个所述介电材料层； 至少一钝化介电层，覆盖多个所述介电材料层；以及 一盖金属环，接触该边缘环密封结构的一顶表面部分，并横向围绕该至少一钝化介电层的一下部，其中： 该边缘环密封结构包括两个纵向部分，平行该第一半导体晶粒的多个第一侧壁；两个横向部分，平行该第一半导体晶粒的多个第二侧壁；以及四个倾斜角落部分，连接该两个纵向部分的对应一个和该两个横向部分的对应一个；以及 位于一垂直平面和一垂直线之间的该至少一钝化介电层的每个角落区域除了该盖金属环的对应单个倾斜棒部分之外不具有任何金属材料，该垂直平面包括该边缘环密封结构的该四个倾斜角落部分的一内侧壁，该垂直线包括该第一半导体晶粒的一最近角落边缘。
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