中山芯承半导体有限公司蔡琨辰获国家专利权
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龙图腾网获悉中山芯承半导体有限公司申请的专利一种基于2nm及以下超薄芯片的封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223462216U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422583536.2，技术领域涉及：H01L23/367；该实用新型一种基于2nm及以下超薄芯片的封装结构是由蔡琨辰;李伦荣;杨明设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于2nm及以下超薄芯片的封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种基于2nm及以下超薄芯片的封装结构，通过竖向金属柱的设置，能够作为电气连接通道，可以增大电流传输的截面积，实现大电流的封装需求；也能够作为热传导路径，提高散热效率。通过在基板上设置转接板，并倒装连接有2nm及以下厚度的第一芯片，实现了更小的封装高度和尺寸。第一芯片以倒装的方式连接在转接板上，使得第一芯片的背面朝上，能够配合横向金属块、导电材料层组成导电网络实现晶背供电，可以缩短供电路径，减少电阻，从而显著降低IR压降，提高供电效率。基板在来料时已经根长有一体成型的竖向金属柱，减少了组装过程中的焊接和连接步骤，从而提高了生产效率，适用于对生产效率具有高要求的生产厂商。
本实用新型一种基于2nm及以下超薄芯片的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种基于2nm及以下超薄芯片的封装结构，包括基板1，其特征在于所述基板1在其上表面连接有转接板2，在转接板2上表面倒装有2nmamp;2nm以下厚度的第一芯片3，第一芯片3背面设有多个第一金属触点31，所述基板1根据第一金属触点31数量对应形成有多个竖向延伸的竖向金属柱11；所述竖向金属柱11为一体成型结构，其底部嵌入至基板1顶部并向上竖向延伸至与第一芯片3背面等高；每个第一金属触点31表面设有第一导电材料层41，每个竖向金属柱11上表面设有第二导电材料层42；所述第一导电材料层41和第二导电材料层42之间通过横向金属块5导电连接。
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