中山芯承半导体有限公司蔡琨辰获国家专利权
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龙图腾网获悉中山芯承半导体有限公司申请的专利一种2nm及以下芯片基于金属带连接的封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223462222U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422583563.X，技术领域涉及：H01L23/492；该实用新型一种2nm及以下芯片基于金属带连接的封装结构是由蔡琨辰;李伦荣;杨明设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种2nm及以下芯片基于金属带连接的封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种2nm及以下芯片基于金属带连接的封装结构，该结构包括基板、转接板及倒装的第一芯片，其中第一芯片厚度不超过2nm。转接板设置于基板上，第一芯片倒装于转接板上，其背面设有金属触点。基板对应设有晶背供电金属触点，两者通过第一、第二导电材料层及一体成型的金属带实现导电连接。金属带包括竖向和横向延伸结构，构成晶背供电的导电网络，提升热量传导能力。该结构实现高度集成，减小封装高度和物理尺寸，同时提高供电效率和能源利用效率。倒装芯片配合导电网络实现晶背供电，缩短供电路径，减少电阻。一体成型的金属带设计简化组装过程，减少焊接和连接步骤，提高生产效率。该封装结构适用于2nm及以下芯片，具有广阔的应用前景。
本实用新型一种2nm及以下芯片基于金属带连接的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种2nm及以下芯片基于金属带连接的封装结构，包括基板1，其特征在于所述基板1在其上表面连接有转接板2，在转接板2上表面倒装有2nm及以下厚度的第一芯片3，第一芯片3背面设有多个第一金属触点31，所述基板1根据第一金属触点31数量在其上表面对应形成有多个晶背供电金属触点11，每个第一金属触点31表面设有第一导电材料层41，每个晶背供电金属触点11表面设有第二导电材料层42，所述第一导电材料层41和第二导电材料层42通过一体成型的金属带5导电连接在一起；所述金属带5包括从第二导电材料层42延伸至与第一芯片3背面等高的竖向延伸结构51、从竖向延伸结构51顶端向第一导电材料层41延伸的横向延伸结构52。
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