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龙图腾网获悉合肥致存微电子有限责任公司申请的专利Flash存储器的数据管理方法、装置、设备以及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115145834B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210716514.1，技术领域涉及：G06F12/02；该发明授权Flash存储器的数据管理方法、装置、设备以及存储介质是由曹志忠;吴大畏;李晓强设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本Flash存储器的数据管理方法、装置、设备以及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Flash存储器的数据管理方法、装置、终端设备以及计算机存储介质，Flash存储器的数据管理方法应用于nandflash存储器，nandflash存储器与主机连接，Flash存储器的数据管理方法包括以下步骤：接收所述主机发送的数据管理指令，根据数据管理指令指向的待管理数据的源逻辑区间地址，确定待管理数据在nandflash存储器中的源物理地址；根据源物理地址针对待管理数据的目标逻辑区间地址进行操作以针对待管理数据进行管理；其中，源逻辑区间地址和目标逻辑地址均包含在数据管理指令中。本发明能够实现针对存储在nandflash存储器里的数据进行管理时，节省主机针对该数据进行拷贝或剪切的时间。

本发明授权Flash存储器的数据管理方法、装置、设备以及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种Flash存储器的数据管理方法，其特征在于，所述Flash存储器的数据管理方法应用于nandflash存储器，所述nandflash存储器与主机连接，所述Flash存储器的数据管理方法包括以下步骤： 接收所述主机发送的数据管理指令，根据所述数据管理指令指向的待管理数据的源逻辑区间地址，确定所述待管理数据在所述nandflash存储器中的源物理地址； 根据所述源物理地址针对所述待管理数据的目标逻辑区间地址进行操作以针对所述待管理数据进行管理； 所述根据所述源物理地址针对所述待管理数据的目标逻辑区间地址进行操作以针对所述待管理数据进行管理的步骤包括： 当所述数据管理指令为数据拷贝指令时，根据从预设的映射表格中确定所述源物理地址和所述数据拷贝指令在所述nandflash存储器中确定所述待管理数据的数据内容；根据所述数据内容的数据容量在所述nandflash存储器中确定空物理空间；根据所述空物理空间在所述nandflash存储器中确定对应的目标物理地址；将包含在所述数据拷贝指令中的目标逻辑区间地址映射到所述目标物理地址，将所述待管理数据的所述数据内容拷贝到所述nandflash存储器的所述空物理空间； 其中，所述源逻辑区间地址和所述目标逻辑地址均包含在所述数据管理指令中。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥致存微电子有限责任公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期J1楼C座401室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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