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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种半导体材料中缺陷俘获截面的计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115146457B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210762618.6，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种半导体材料中缺陷俘获截面的计算方法是由徐晓东;李兴冀;李伟奇;刘中利设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体材料中缺陷俘获截面的计算方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体材料中缺陷俘获截面的计算方法，包括以下步骤：构建无缺陷和有缺陷的半导体材料结构，然后指定材料的带电状态a，a‑1和a+1，对半导体材料进行优化，使原子均处于各自的平衡位置；计算构建得到的几种半导体材料结构的能量；采用公式计算半导体材料中缺陷的俘获截面。本发明通过模拟计算的方式能够快速、准确计算半导体材料中的俘获截面，从而评估半导体材料的抗辐射性能，解决了传统的俘获截面计算过程中实验测试周期长、效率低的问题。

本发明授权一种半导体材料中缺陷俘获截面的计算方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体材料中缺陷俘获截面的计算方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1、构建无缺陷的半导体材料结构，然后指定材料的带电状态a，并在所述带电状态a的基础上构建获得一个电子的状态a-1和获得一个空穴的状态a+1的半导体材料结构，对半导体材料进行优化，使原子均处于各自的平衡位置； 步骤S2、构建有缺陷的半导体材料结构，然后指定材料的带电状态a，并在所述带电状态a的基础上构建获得一个电子的状态a-1和获得一个空穴的状态a+1的半导体材料结构，对半导体材料进行优化，使原子均处于各自的平衡位置； 步骤S3、计算步骤S1和步骤S2中构建得到的几种半导体材料结构的能量，分别以代表不同半导体材料结构的能量，其中，和分别代表带电状态为a-1、a和a+1条件下无缺陷的半导体材料结构的能量，和分别代表带电状态为a-1、a和a+1条件下有缺陷的半导体材料结构的能量； 步骤S4，采用以下公式计算半导体材料中缺陷的俘获截面： 首先，计算半导体材料得到一个电子的能量势垒ΔEa-1和一个空穴的能量势垒ΔEa+1； 然后，根据ΔEa-1和ΔEa+1分别计算电子的俘获截面σ-和空穴的俘获截面σ+： 其中，m*是有效电子质量或有效空穴质量，是约化狄拉克常数。

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