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龙图腾网获悉无锡锡产微芯半导体有限公司申请的专利绝缘栅双极型晶体管装置及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148801B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110332803.7，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权绝缘栅双极型晶体管装置及其制备方法是由安俊杰;何志;保罗·奥尔甘蒂尼设计研发完成，并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本绝缘栅双极型晶体管装置及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开内容涉及绝缘栅双极型晶体管IGBT装置及其制造方法。根据本公开内容的IGBT装置包括：第一导电类型的衬底；以及多个沟槽，其从衬底的上表面向下形成以具有沿第一方向延伸的彼此平行的条形形状并且其中分别设置有多个栅极。在沟槽之间形成有源区，并且有源区具有沿第一方向延伸的第一导电类型的源极区和第二导电类型的接触区，接触区具有在垂直于第一方向的第二方向上的第一宽度和不同于第一宽度的第二宽度，第一宽度和第二宽度沿第一方向交替布置，并且沟槽具有在第二方向上的均匀的第三宽度。

本发明授权绝缘栅双极型晶体管装置及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘栅双极型晶体管装置，包括：第一导电类型的衬底；以及 多个沟槽，从所述衬底的上表面向下形成以具有沿第一方向延伸的彼此平行的条形形状并且其中分别设置有多个栅极，其中，在所述沟槽之间形成有源区，并且所述有源区具有沿所述第一方向延伸的第一导电类型的源极区和第二导电类型的接触区， 其特征在于， 所述绝缘栅双极型晶体管装置包括沿第一方向交替设置的至少一个第一元胞和第二元胞，所述第一元胞和所述第二元胞分别包括所述多个栅极的和所述有源区中的所述接触区的一部分， 其中所述第一元胞的所述接触区具有在垂直于所述第一方向的第二方向上的第一宽度，所述第二元胞的所述接触区具有在垂直于所述第一方向的第二方向上的第二宽度，其中所述第一宽度不同于所述第二宽度，以及 所述第一元胞和所述第二元胞中的栅极分别具有在所述第二方向上的均匀的第三宽度， 其中所述第二宽度大于所述第一宽度，以及 具有所述第二宽度的接触区的第二绝缘栅双极型晶体管元胞的沟道掺杂浓度大于1018cm-3，使得所述第二绝缘栅双极型晶体管元胞是常断的。

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