浙江师范大学黄仕华获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江师范大学申请的专利晶体硅太阳能电池钝化接触电阻的精确测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115420954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211221599.2，技术领域涉及：G01R27/08；该发明授权晶体硅太阳能电池钝化接触电阻的精确测量方法是由黄仕华;李林华;吴金玉设计研发完成，并于2022-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体硅太阳能电池钝化接触电阻的精确测量方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池钝化接触电阻的精确测量方法，采用激光刻蚀的方法在样品表面开出两个微槽，微槽宽度与样品宽度相等，微槽深度大于功能介质薄膜厚度；随后在微槽中填入导电银浆，最后测量微槽与银电极、微槽与微槽之间的电阻，计算得到钝化接触结构的接触电阻率。本发明可以相对方便地精确测量钝化接触结构的接触电阻率。
本发明授权晶体硅太阳能电池钝化接触电阻的精确测量方法在权利要求书中公布了：1.晶体硅太阳能电池钝化接触电阻的精确测量方法，所述的测量样品包括单晶硅层，单晶硅层上生长有功能介质薄膜，功能介质薄膜上蒸镀有条状金属银电极，条状电极的宽度计为，其特征在于：采用激光刻蚀的方法在样品表面开出两个微槽，两个微槽之间以及微槽与银电极中心距离相等，微槽宽度与样品宽度相等，且等于条状电极的宽度，微槽深度大于功能介质薄膜厚度；随后在微槽中填入导电银浆，最后测量微槽与银电极、微槽与微槽之间的电流-电压特性，从而获得微槽与银电极之间的电阻R1、微槽与微槽之间的电阻R2；用下式4计算钝化接触结构的接触电阻率： 4。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江师范大学，其通讯地址为：321004 浙江省金华市迎宾大道688号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励