西安电子科技大学马晓华获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种增强型氧化镓功率晶体管及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483292B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211134280.6，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权一种增强型氧化镓功率晶体管及制作方法是由马晓华;何云龙;陆小力;郑雪峰;郝跃设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种增强型氧化镓功率晶体管及制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种增强型氧化镓功率晶体管及制作方法，该功率晶体管包括：β‑Ga2O3衬底、β‑Ga2O3非故意掺杂层、p型NiOx缓冲层、n型β‑Ga2O3沟道层、p型NiOx帽层、源电极、漏电极和栅电极，其中，β‑Ga2O3衬底、β‑Ga2O3非故意掺杂层、p型NiOx缓冲层、n型β‑Ga2O3沟道层依次层叠；源电极位于n型β‑Ga2O3沟道层的一端，漏电极位于n型β‑Ga2O3沟道层的另一端；p型NiOx帽层位于n型β‑Ga2O3沟道层上，且位于源电极和漏电极之间；栅电极位于p型NiOx帽层上。该功率晶体管中p型NiOx缓冲层与上层的n型β‑Ga2O3沟道层之间形成pn结，可以阻止β‑Ga2O3非故意掺杂层中的杂质离子渗入沟道层，减小了渗入沟道层中的杂质离子的补偿作用，提升了沟道层电子迁移率，同时提升了沟道层中的电子浓度，提升了器件电流密度。
本发明授权一种增强型氧化镓功率晶体管及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型氧化镓功率晶体管，包括：β-Ga2O3衬底1、β-Ga2O3非故意掺杂层2、p型NiOx缓冲层3、n型β-Ga2O3沟道层4、p型NiOx帽层5、源电极6、漏电极7和栅电极8，其中， 所述β-Ga2O3衬底1、所述β-Ga2O3非故意掺杂层2、所述p型NiOx缓冲层3、所述n型β-Ga2O3沟道层4依次层叠； 所述源电极6位于所述n型β-Ga2O3沟道层4的一端，所述漏电极7位于所述n型β-Ga2O3沟道层4的另一端； 所述p型NiOx帽层5位于所述n型β-Ga2O3沟道层4上，且位于所述源电极6和所述漏电极7之间； 所述栅电极8位于所述p型NiOx帽层5上。
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