杭州爱力智控技术有限公司朱恺获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州爱力智控技术有限公司申请的专利一种用于电液伺服阀的放大器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116015233B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211707372.9,技术领域涉及:H03F3/45;该发明授权一种用于电液伺服阀的放大器是由朱恺;王学国;王谦;周文丰;郑鹏设计研发完成,并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于电液伺服阀的放大器在说明书摘要公布了:本发明提供了一种用于电液伺服阀的放大器,包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第十一MOS管M11、第十二MOS管M12、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第十五MOS管M15、第一电阻R1、第二电阻R2、偏置电流源Ibias和输出电容Cout。本发明能够改善稳定性、提高放大增益,避免外界干扰。
本发明授权一种用于电液伺服阀的放大器在权利要求书中公布了:1.一种用于电液伺服阀的放大器,其特征在于,包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第十一MOS管M11、第十二MOS管M12、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第十五MOS管M15、第一电阻R1、第二电阻R2、偏置电流源Ibias和输出电容Cout; 偏置电流源Ibias的电源端连接电源VDD,偏置电流源Ibias的电流输出端连接第三MOS管M3的漏极、第三MOS管M3的栅极、第四MOS管M4的栅极、第七MOS管M7的栅极;第一MOS管M1的栅极作为放大器的第一输入端,接收反馈信号Vfb;第一MOS管M1的漏极连接第八MOS管M8的漏极;第一MOS管M1的源极连接第二MOS管M2的源极、第四MOS管M4的漏极;第二MOS管M2的栅极作为放大器的第二输入端,接收给定信号Vref;第二MOS管M2的漏极连接第十二MOS管M12的漏极;第五MOS管M5、第八MOS管M8、第十二MOS管M12的源极连接电源VDD,第五MOS管M5的栅极连接第六MOS管M6的漏极、第八MOS管M8的栅极、第十二MOS管M12的栅极、第一电阻R1的第一端,第五MOS管M5的漏极连接第六MOS管M6的源极,第六MOS管M6的栅极连接第九MOS管M9的栅极、第十三MOS管M13的栅极、第一电阻R1的第二端、第七MOS管M7的漏极;第八MOS管M8的漏极连接第九MOS管M9的源极,第九MOS管M9的漏极连接第二电阻R2的第一端、第十MOS管M10的栅极、第十四MOS管M14的栅极,第二电阻R2的第二端连接第十MOS管M10的漏极、第十一MOS管M11的栅极、第十五MOS管M15的栅极,第十MOS管M10的源极连接第十一MOS管M11的漏极;第十二MOS管M12的漏极连接第十三MOS管M13的源极,第十三MOS管M13的漏极连接第十四MOS管M14的漏极、输出电容Cout的第一端,并作为放大器的输出端,产生放大信号Vout;第十四MOS管M14的源极连接第十五MOS管M15的漏极;第三MOS管M3的源极、第四MOS管M4的源极、第七MOS管M7的源极、第十一MOS管M11的源极、第十五MOS管M15的源极、输出电容Cout的第二端共同连接参考地VSS。
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