株式会社半导体能源研究所下垣智子获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116056479B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310224426.4，技术领域涉及：H10K50/11；该发明授权发光元件是由下垣智子;濑尾哲史;大泽信晴;井上英子;铃木邦彦设计研发完成，并于2012-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光元件在说明书摘要公布了：本发明提供一种外部量子效率高的发光元件。本发明提供一种寿命长的发光元件。本发明提供一种发光元件，其包括：一对电极之间的包含磷光化合物、第一有机化合物以及第二有机化合物的发光层，其中，第一有机化合物和第二有机化合物的组合形成激基复合物。该发光元件由于利用激基复合物的发射光谱与磷光化合物的吸收光谱的重叠进行能量转移，所以能量转移效率高。因此，可以实现外部量子效率高的发光元件。
本发明授权发光元件在权利要求书中公布了：1.一种发光元件，包括： 第一电极； 所述第一电极上的发光层；以及 所述发光层上的第二电极， 其中，所述发光层包括第一有机化合物、第二有机化合物和客体材料， 其中，所述第一有机化合物是杂芳族化合物， 其中，所述第二有机化合物是咔唑化合物， 其中，所述第一有机化合物和所述第二有机化合物形成激基复合物， 其中，所述激基复合物的发射光谱的峰与所述客体材料的吸收光谱中最长波长一侧的吸收带重叠， 其中，所述激基复合物的所述发射光谱的峰的能量值与所述吸收光谱中最长波长一侧的吸收带的峰的能量值之间的差为0.2eV或更低，以及 所述第一有机化合物的三重激发能级和所述第二有机化合物的三重激发能级均高于所述客体材料的三重激发能级。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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