中科纳米张家港化合物半导体研究所赵迎春获国家专利权
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龙图腾网获悉中科纳米张家港化合物半导体研究所申请的专利MOCVD设备用石墨盘表面的处理方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116121733B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211714406.7，技术领域涉及：C23C16/458；该发明授权MOCVD设备用石墨盘表面的处理方法和装置是由赵迎春;李付锦;熊敏设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOCVD设备用石墨盘表面的处理方法和装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOCVD设备用石墨盘表面的处理方法和装置，该方法包括：在真空条件下，采用激光对石墨盘的表面进行热解碳处理，激光频率为0.5‑5K赫兹，脉冲宽度1‑500fs，单脉冲能量0.1‑5mJ。本发明利用飞秒激光脉冲处理石墨盘表面可以形成具有2000℃条件下化学气相沉积法类似的热解碳同时具备周期性微观结构，可以大幅提高沉积物与石墨盘表面粘附性，使沉积物累积较厚时也不易脱落，从而提高反应室洁净度同时降低反应室维护周期，实现降本增效。
本发明授权MOCVD设备用石墨盘表面的处理方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种MOCVD设备用石墨盘表面的处理方法，其特征在于，在真空条件下，采用激光对石墨盘的表面进行热解碳处理， 激光频率为0.5-5K赫兹，脉冲宽度1-500fs，单脉冲能量0.1-5mJ； 采用激光对石墨盘的表面进行热解碳处理过程中，向石墨盘的表面喷射惰性气体； 激光对石墨盘的表面进行热解碳处理之前，还包括：采用氧等离子体对石墨盘表面进行预处理。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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