武汉大学陈剑飞获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种四电平双T型半桥功率模块及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314156B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310174889.4，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权一种四电平双T型半桥功率模块及其封装方法是由陈剑飞;刘鹏辉;何怡刚设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种四电平双T型半桥功率模块及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种四电平双T型半桥功率模块及其封装方法，包括两个DBC基板层，即DBC基板层一和DBC基板层二，所述DBC基板层一上布置有功率模块，包括依次连接的换流回路一、换流回路二以及换流回路三。因此，本发明具有如下优点：全球首次提出四电平半桥功率模块封装设想，以四电平双T型变换器为例，提供了六种不同的四电平半桥功率模块设计结构。四电平半桥功率模块的出现，为进一步提升电力电子变换器功率密度、转换效率等性能提供了新途径。
本发明授权一种四电平双T型半桥功率模块及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种四电平双T型半桥功率模块的封装工艺，其特征在于，所述四电平双T型半桥功率模块包括两个DBC基板层，即DBC基板层一和DBC基板层二，所述DBC基板层一上布置有功率模块，包括依次连接的换流回路一、换流回路二以及换流回路三； 所述换流回路一包括依次串联的电容C1、开关管S1、开关管S2、二极管D5； 所述换流回路二包括依次串联为一个回路的电容C2、开关管S3、开关管S4； 所述换流回路三包括依次串联的电容C3、开关管S6、二极管D5、开关管S5； 所述封装工艺包括： 提供两个DBC基板层，即DBC基板层一和DBC基板层二，并在DBC基板层一上封装三个换流模块，即换流回路一、换流回路二以及换流回路三； 在DBC基板层一上下平行封装换流回路一以及换流回路三，换流回路三封装至换流回路二和换流回路一旁；开关管的源极通过铝线与DBC基板层一的上部铜层连接，栅极与开尔文源极也采用铝线连接。
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