北京航空航天大学何田获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利用于声发射信号增强的声学黑洞波导杆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116338004B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310326815.8，技术领域涉及：G01N29/14；该发明授权用于声发射信号增强的声学黑洞波导杆是由何田;符记;邢银帅;单颖春设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于声发射信号增强的声学黑洞波导杆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于声发射信号增强的声学黑洞波导杆，其采用在截面为方形的各向同性长方体杆的一端加工出一维声学黑洞结构而得到，一维声学黑洞结构用于增强声发射信号，一维声学黑洞结构的最小厚度处位于长方体杆的一端端部处，一维声学黑洞结构的最小厚度处的底部位置为传感器位置。本发明解决了传统波导杆因声发射波衰减而不能有效地被传感器检测到的问题，同时，本发明实施例的用于声发射信号增强的声学黑洞波导杆的整体长度可以设计得比传统波导杆的长度更长，且结构简单，应用便捷。
本发明授权用于声发射信号增强的声学黑洞波导杆在权利要求书中公布了：1.一种用于声发射信号增强的声学黑洞波导杆，其特征在于，所述用于声发射信号增强的声学黑洞波导杆采用在截面为方形的各向同性长方体杆的一端加工出一维声学黑洞结构而得到，所述一维声学黑洞结构用于增强声发射信号，所述一维声学黑洞结构的最小厚度处位于所述长方体杆的一端端部处，所述一维声学黑洞结构的最小厚度处的底部位置为传感器位置； 所述一维声学黑洞结构呈楔形； 所述用于声发射信号增强的声学黑洞波导杆的厚度具体为： 其中，hx为所述用于声发射信号增强的声学黑洞波导杆的厚度；r为所述一维声学黑洞结构的长度；l为所述用于声发射信号增强的声学黑洞波导杆的总长度，H为所述用于射信号增强的声学黑洞波导杆的最大厚度；h1为所述用于声发射信号增强的声学黑洞波导杆的最小厚度；ε为常数；m为幂指数； 所述幂指数为：m≥2； 所述常数为：
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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